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富士通微电子株式会社
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株式会社瑞萨科技
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冲电气工业株式会社
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发文基金:
国家教育部博士点基金
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相关领域:
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电气工程
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株式会社东芝
冲电气工业株式会社
夏普株式会社
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富士施乐株式...
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京瓷株式会社
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东和株式会社
作者
1篇
林大成
1篇
彭坤
1篇
王飚
1篇
吴萍
传媒
1篇
微细加工技术
年份
1篇
2011
150篇
2010
248篇
2009
7篇
2008
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半导体器件及其制造方法
本发明提供一种应用应力技术并且可以抑制硅化物形成所致漏电流的半导体器件。在由形成于半导体衬底中的隔离区域限定的单元区域上方形成栅电极,其中栅极绝缘膜介于栅电极与单元区域之间。在栅电极的两侧上的单元区域中形成延伸区域和源极...
金永奭
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半导体存储器装置
本发明涉及一种半导体存储器装置,在该半导体存储器装置中,存储器单元(MC)包括配置为相互成对的用于转移栅极的nMOS晶体管(11a、11b),以及连接到所述nMOS晶体管(11a)的用于数据存储的一个电容器(12)。所述...
大冢宽治
宇佐美保
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半导体装置及其制造方法
具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状,为了与其残存部匹配,在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即,在多个接触...
高松知广
三浦寿良
中村光宏
立花宏俊
小室玄一
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半导体器件及其制造方法
提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:硅衬底;第一绝缘膜,形成于硅衬底上;第一导电塞,形成于第一绝缘膜的第一接触孔内部;具有平坦表面的底层导电膜,形成于第一导电塞上及其周围;结晶导电膜,形成于底层导电膜上;以...
三浦寿良
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非易失性半导体存储器件
一种非易失性半导体存储器件,具有:存储单元阵列(10),以矩阵状排列有存储单元(MC),该存储单元具有选择晶体管(ST)和存储单元晶体管(MT);列译码器(12),用于控制位线(BL)的电位;电压施加电路(14),用于控...
鸟井智史
水谷和宏
野村俊雄
浅野正义
福冈郁人
马渡博史
高桥基
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内置有电容器的半导体装置及其制造方法
在内置有为了防止电源电位或接地电位的变动而使用的去耦电容器的半导体装置及其制造方法中,利用简单且低成本的方法来实现小型化、高性能化。根据本发明的半导体装置包括:设置有电源用电极和接地用电极的基板;在与第二半导体芯片相对向...
小泽要
佐藤光孝
米田义之
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半导体器件及其制造方法
一种能够防止电极端子与管芯焊盘之间的接触以及能够确保进行电极端子的导线接合的半导体器件。形成无源元件,使各电极端子的垂直高度高于元件部分的高度。更具体地,电极端子的每个横断面积均略大于元件部分的横断面积。因此,各电极端子...
西村隆雄
平冈哲也
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继电板及具有继电板的半导体器件
一种设置于半导体器件中的继电板,包括第一端子和多个第二端子,第二端子通过布线连接至第一端子。连接至该第一端子的布线在途中分叉,从而该布线连接至第二端子中的每个端子。使用本发明,可任意选择设置于继电板上的多个焊盘和/或可任...
西村隆雄
中村公一
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半导体器件及其制造方法
一种制造半导体器件的方法,包括:在栅电极30上形成Co膜72的步骤,该栅电极的栅长L<Sub>g</Sub>小于等于50nm;第一次热处理步骤,进行热处理,以使Co膜72和栅电极30相互反应,从而在栅电极30的上部形成C...
川村和郎
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半导体存储器及其测试方法
一种半导体存储器及其测试方法,其中在测试时在多个CR中设置任意操作模式信息,从而测试成本降低。多个CR保存操作模式信息。在CR控制电路以预定顺序检测到写入命令或读取命令时,CR控制电路以时分方式更新每个所述多个CR的操作...
森郁
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