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四川广义微电子股份有限公司
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电子科技大学
北京燕东微电子科技有限公司
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机构
63篇
四川广义微电...
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电子科技大学
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北京燕东微电...
作者
3篇
李泽宏
年份
8篇
2024
5篇
2023
5篇
2022
5篇
2021
1篇
2020
1篇
2019
3篇
2017
2篇
2016
19篇
2015
14篇
2014
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一种膜料余量检测传感器装置
本实用新型公开了一种膜料余量检测传感器装置,涉及膜料检测领域,解决了因传感器位置的固定造成检测不精确,使得膜料余量过多,造成很大的浪费,其技术方案要点是:包括支架、传动机构、安装支架以及传感器,所述传动机构固定安装在所述...
雷志辉
基于6英寸硅片工艺的静电防护功率MOS器件
基于6英寸硅片工艺的静电防护功率MOS器件,包括硅片本体和硅片本体上的栅极,栅极与硅片本体之间具有绝缘层,位于绝缘层下方两侧的源极和漏极,及位于源极和漏极周围及下方的外延层,靠近源极的漏极外侧及漏极下方设置有漂移区,所述...
崔永明
张干
王作义
彭彪
文献传递
改善浪涌抑制晶闸管可靠性的工艺方法及浪涌抑制晶闸管
本发明公开了改善浪涌抑制晶闸管可靠性的工艺方法及浪涌抑制晶闸管,涉及晶闸管技术领域,其技术方案要点是:基于高温水洗的方式保留在制备浪涌抑制晶闸管时,磷扩散工艺所去除的二氧化硅层,其中二氧化硅层的表面含磷。本发明在磷预扩后...
陈建鹏
曾静
一种晶圆刻蚀用的支撑结构
本实用新型涉及半导体制造器械技术领域,公开了一种晶圆刻蚀用的支撑结构,包括静电吸盘,所述静电吸盘的外侧套设有硅环,所述硅环与所述静电吸盘之间设置有隔绝环,所述隔绝环具有绝缘性。本实用新型能够避免出现打火现象,从而避免ES...
周帆
一种靶材结构及溅射设备
本实用新型公开了一种靶材结构及溅射设备,包括靶材,靶材整体截面呈凸字型;靶材包括从上往下设置的上靶材体和下靶材体,上靶材体和下靶材体一体成型;下靶材体的外周上设置有若干外沉槽,外沉槽用于排气;上靶材体的外周上未设置有内沉...
许明
一种轻穿通IGBT器件的制备方法
本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种轻穿通IGBT器件的制备方法。所述制备方法制得的IGBT器件,集合了N型载流子存储层和P+型浮空层结构,在具有高击穿电压、低正向导通压降和关断损耗低等优点的基础上,还能够通过在第二...
张干
王建全
彭彪
王作义
崔永明
文献传递
一种减少PI胶丝残留的方法
本发明公开了一种减少PI胶丝残留的方法,涉及半导体领域,解决了PI胶丝残留的问题,其技术方案要点是:步骤一,对产品片的非感光PI胶表面涂抹光刻胶,并采用光刻工艺进行曝光处理,再对曝光处理后的产品片进行烘烤处理;步骤二,将...
陈思颖
杨明
何嘉宾
刘光明
刘珍一
王大伟
杨惠
欧博文
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IGBT芯片水冷专用基板
本实用新型公开了IGBT芯片水冷专用基板,包括上毛坯板和下毛坯板,上毛坯板面向下毛坯板的一面设置有2个上毛坯凹槽,下毛坯板面向上毛坯板的一面设置有过水凹槽,过水凹槽面向上毛坯板的底面设置有2个存在间隙的隔板,隔板与过水凹...
王建全
彭彪
张干
王作义
崔永明
文献传递
源级大电容MOS器件
源极大电容MOS器件,包括A型外延层,还包括位于A型外延层上的B型MOS器件,所述B型MOS器件源极外侧紧邻有A型重掺杂区,所述A型重掺杂区的掺杂浓度大于A型外延层,所述A型重掺杂区的底部具有向B型MOS器件的内侧有源区...
张干
王建全
彭彪
王作义
崔永明
文献传递
温度自适应调整功率管
温度自适应调整功率管,包括信号输入端及功率管栅极,其特征在于,还包括栅极控制电路,所述栅极控制电路由下拉电阻、降压电阻、温度感应器件和第一信号输入管、第二信号输入管组成;所述第一信号输入管连接在电源和下拉电阻之间,下拉电...
王建全
崔永明
王作义
彭彪
李保霞
张干
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