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株式会社高纯度化学研究所

作品数：8 被引量：0H指数：0
相关机构：松下电子工业株式会社松下电器产业株式会社更多>>
相关领域：理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇理学

主题

  • 4篇原子
  • 3篇化合物
  • 2篇氧原子
  • 2篇有机化合物
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇原子数
  • 2篇载气
  • 2篇蒸发
  • 2篇烧结法
  • 2篇失活
  • 2篇树脂
  • 2篇碳原子
  • 2篇碳原子数
  • 2篇涂层
  • 2篇热分解
  • 2篇自由基
  • 2篇戊二烯
  • 2篇烯基
  • 2篇卤化
  • 2篇卤化物

机构

  • 8篇株式会社高纯...
  • 1篇松下电器产业...
  • 1篇松下电子工业...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2003
  • 1篇1998
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
蒸发原料用容器和使用该蒸发原料用容器的固体气化供给系统
本发明提供耐腐蚀性优异的蒸发原料用容器。用于贮存薄膜形成用金属卤化物(S)且使其蒸发的蒸发原料用容器(100)，具备：具有容器壁(12)的容器主体(2)、具有载气导入口(16)和混合气体导出口(18)的盖体(4)、固定容...
斋笃松本浩
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双(烷基四甲基环戊二烯基)锌、化学蒸镀用原料和含锌薄膜的制备方法
提供：为用于形成含锌薄膜的化学蒸镀用原料，由于在室温下为液体，所以容易处理的、用下述式(1)表示的双(烷基四甲基环戊二烯基)锌(在式(1)中，R<Sup>1</Sup>和R<Sup>2</Sup>表示碳原子数为3的烷基)...
高桥伸尚水谷文一
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金属薄膜的原子层沉积方法
提供通过以有机金属络合物为一种原料的原子层沉积(ALD)来沉积金属薄膜的方法，所述方法不使用有可能失活的等离子体或臭氧等自由基物种。金属薄膜的原子层沉积(ALD)法，具有：向设置有基板的反应室内供给具有芳族阴离子配体和/...
水谷文一东慎太郎竹泽直幸
薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统
提供能够降低颗粒污染的薄膜形成用金属卤化物的固体气化供给系统。具备用于将薄膜形成用金属卤化物存积且使其蒸发的蒸发原料用容器（100）、与蒸发原料用容器（100）连接的缓冲罐（101），蒸发原料用容器（100）具备具有容器...
斋笃松本浩
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Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法
以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料,用CVD等分子沉积法或旋转涂布－烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC<Sub>2</Sub>H<Sub>...
宝地户雄幸门仓秀公松本政道有田浩二吾妻正道大槻达男
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双(乙基环戊二烯基)锡、化学蒸镀用原料、含有锡的薄膜的制备方法及锡氧化物薄膜的制备方法
本发明提供以双(乙基环戊二烯基)锡为代表的、即使在低温下也具有高蒸气压的双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡，以及以这些有机锡化合物为主成分的化学蒸镀用原料，和利用使用该化学蒸镀用原料的原子层沉积法的含有...
高桥伸尚水谷文一东慎太郎
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金属薄膜的原子层沉积方法
提供通过以有机金属络合物为一种原料的原子层沉积(ALD)来沉积金属薄膜的方法，所述方法不使用有可能失活的等离子体或臭氧等自由基物种。金属薄膜的原子层沉积(ALD)法，具有：向设置有基板的反应室内供给具有芳族阴离子配体和/...
水谷文一东慎太郎竹泽直幸
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Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法
以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料，用CVD等分子沉积法或旋转涂布-烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC<Sub>2</Sub>H<Sub>...
宝地户雄幸门仓秀公松本政道有田浩二吾妻正道大槻达男
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