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苏州纳晶光电有限公司

作品数：11 被引量：0H指数：0
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合作机构

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 5篇氮化镓
  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化镓基发光...
  • 2篇岛状
  • 2篇导体
  • 2篇淀积
  • 2篇多量子阱
  • 2篇真空装置
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇气相淀积
  • 2篇阻挡层
  • 2篇外延膜
  • 2篇金属
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇晶体

机构

  • 11篇苏州纳晶光电...
  • 2篇苏州君耀光电...

年份

  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法
本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔离形成氮化镓基单元器件，将划片槽划穿至蓝宝石衬底表面，并在划片槽中填充保护材料；以金属层作为中间层，将所述氮化镓基外延膜...
王怀兵孔俊杰杨辉梁秉文
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一种新型结构的大功率氮化镓基LED
本发明涉及一种氮化镓基发光二极管，尤其涉及一种大功率氮化镓基发光二极管的结构，所述大功率氮化镓基的发光二极管自下而上包括：衬底、设置在衬底上的N型氮化镓层、设置在N型氮化镓层的高台面上的氮化铝镓空穴阻挡层、设置在空穴阻挡...
郝国栋王怀兵孔俊杰范亚明陈勇黄晓辉
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一种蓝宝石图形衬底及其制备方法
本发明公开了一种蓝宝石图形衬底以及制备方法，该衬底图形为连续的网状结构，衬底图形的各组成边为脊形结构。本发明的蓝宝石图形衬底可以有效减少了外延生长时氮化镓薄膜的生长面数量，降低了缺陷密度，进而减小了大尺寸V-pits的形...
王怀兵孔俊杰黄小辉吴思范亚明刘建平杨辉
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一种内嵌式发光二极管封装方法及封装结构
本发明属于半导体照明领域，本发明公开一种内嵌式大功率发光二极管（LED）模块的封装方法及封装结构，该模块可用于各种LED照明灯具的组装。所述内嵌式大功率LED模块封装方法包括：（1）在金属薄板上冲压阵列式凹坑；（2）用电...
王怀兵王峰孔俊杰戴劲松祝运芝
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半导体薄膜的纳区横向外延生长方法
本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法，包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催化剂薄层，退火后得到均匀分布在衬底上的岛状金属催化剂颗粒；(2)在外延设备中，在岛状金属颗粒的底部形成晶核；然后纵向生长...
王怀兵黄小辉杨辉张书明
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高温金属有机化学气相淀积反应器
本发明公开了一种高温金属有机化学气相淀积反应器，包括壳体、反应室、送样室、真空装置、尾气处理装置以及操作控制装置，其特征在于：所述反应室为上底面小于下底面的锥桶形结构，包括多边形锥台式衬底托及套于衬底托外侧的内罩，所述内...
王怀兵杨辉徐科张宝顺梁骏吾
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一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法
本发明公开了一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法，在蓝宝石衬底上生长多层氮化镓基外延膜，然后通过划片槽隔离形成氮化镓基单元器件，将划片槽划穿至蓝宝石衬底表面，并在划片槽中填充保护材料；以金属层作为中间层，将所述氮化镓基外延膜...
王怀兵孔俊杰杨辉梁秉文
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半导体薄膜的纳区横向外延生长方法
本发明公开了一种半导体薄膜的横向外延生长方法，包括以下具体步骤：(1)在衬底材料上蒸镀一层成核金属催化剂薄层，退火后得到均匀分布在衬底上的岛状金属催化剂颗粒；(2)在外延设备中，在岛状金属颗粒的底部形成晶核；然后纵向生长...
王怀兵黄小辉杨辉张书明
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一种内嵌式发光二极管封装结构
本实用新型公开了一种发光二极管封装结构，所述LED封装结构由下至上包括：导热基板、绝缘层、印刷电路层，所述印刷电路层设有正负电极图形区，所述正负电极图形区上设有电极引线焊点，所述LED封装结构还包括LED芯片，LED芯片...
王怀兵王峰孔俊杰戴劲松祝运芝
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高温金属有机化学气相淀积反应器
本发明公开了一种高温金属有机化学气相淀积反应器，包括壳体、反应室、送样室、真空装置、尾气处理装置以及操作控制装置，其特征在于：所述反应室为上底面小于下底面的锥桶形结构，包括多边形锥台式衬底托及套于衬底托外侧的内罩，所述内...
王怀兵杨辉徐科张宝顺梁骏吾
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