中芯国际集成电路制造有限公司
- 作品数：133 被引量：168H指数：6
- 相关作者：周子学简维廷王剑屏荆学珍田磊更多>>
- 相关机构：中国科学院大学中国科学院微电子研究所上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理政治法律更多>>
- 90nm pMOSFET脱耦等离子体制备氮氧化硅的负偏压温度失稳性(英文)
- 2005年
- MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流造成了明显的漏电流。为了降低漏电流,二氧化硅导入高浓度的氮如脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅受到高度重视。然而,脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅的一项顾虑是pMOSFET负偏压温度的失稳性。在此研究里测量了脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET负偏压温度失稳性,并且和传统的二氧化硅闸电极比较,厚度1.5nm的脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET和厚度1.3nm的二氧化硅pMOSFET经过125℃和10.7MVcm的电场1h的应力下比较阈值电压,结果显示脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET在负偏压温度应力下性能较差。在15%阈值电压改变的标准下,延长10年的寿命,其最大工作电压是1.16V,可以符合90nm工艺1V特操作电压的安全范围内。
- 廖金昌王剑屏赵晓玲廖森陈昱升
- 关键词：PMOSFET等离子体氮化氮氧化硅氧化层厚度MOSFET器件
- 先进半导体制造之内建式可靠性数据分析系统
- 2004年
- 开发内建式可靠性(BIR)数据库系统,使我们能利用所累积的早期信息减少市场风险和缩短产品开发的时间。作为一个系统,其包含了所有可靠性资料和相关的信息,而且能够帮助工程师做一些相关的资料分析及研究。因此开发这样一个数据库系统,使我们能够在新的技术产品开发前进行初始化评估;在设计发展的过程中,尽早地发现可能的改进和不稳定的因素,从而大大降低生产风险,缩短生产周期,也有效地压缩了成本。本文从三个方面来具体介绍这个系统。首先介绍这个系统的框架建立;第二部分介绍系统的功能特点,发展目标及优势;最后介绍系统的应用及前景。
- 曾繁中简维廷龚斌陆黎明马瑾怡
- 关键词：可靠性数据库系统架构半导体制造
- 中芯国际依托特色工艺开辟差异化之路
- 2016年
- 随着全球半导体产业重心朝着亚太转移,中国作为全球电子产品生产和消费基地的地位日渐牢固。目前中芯国际12英寸晶圆的订单业务主要集中在逻辑和混合信号/射频相关产品,包括应用程序/基带/系统级芯片/专用集成电路、射频/无线网络技术/相关组合以及调谐器和解调器等,主要应用在移动计算和数字消费产品上。先进工艺挑战尤甚,中芯国际以“特色工艺”开辟差异化之路。
- 许天燊
- 关键词：中芯国际系统级芯片专用集成电路调谐器移动计算
- 先进工艺下的版图邻近效应研究进展
- 2020年
- 在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。
- 王英菲张青淳苏晓菁董立松陈睿张利斌盖天洋粟雅娟韦亚一叶甜春
- 关键词：CMOS金属栅FINFET
- 一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法被引量：1
- 2010年
- 设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明：振荡器的频率覆盖范围从3.04~3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mW。
- 潘杰杨海钢杨立吾
- 关键词：锁相环宽带开关电容阵列
- 0.0068mm^2自校准电路在锁相环中的应用(英文)被引量：1
- 2011年
- 提出了一种可供CMOS锁相环使用的自由调整的自校准技术。与传统的自校准技术相比,新的自校准方案不需要使用参考电压源,而且自校准过程内嵌在锁相环的锁定过程中,所以新的自校准方案减少了芯片的面积:与自校准有关电路的面积只有0.0068 mm2。所设计的PLL采用0.13μm CMOS工艺,工作频率范围在25～700MHz之间。测试表明,当压控振荡器工作在700 MHz的时候,其8倍降频之后的87.5 MHz输出信号的相位噪音在1MHz频率偏移处为-131dBc/Hz。
- 郑佳鹏李伟杨翼马俊程程玉华王阳元
- 关键词：锁相环自校准
- NLDMOS器件性能优化及分析被引量：2
- 2020年
- 提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程,通过在NLDMOS的共源处增加一道离子注入,引出衬底电荷,以优化NLDMOS器件的击穿电压(Vb)与比导通电阻(Rsp)。选择不同的注入离子浓度与快速热退火时间,研究了器件的Vb与Rsp变化。由于离子激活效率不足,单纯增加20%的注入离子浓度,器件的耐压性能提升极小,采用增加20%注入离子浓度结合延长20s快速热退火时间的方法,NLDMOS器件的Vb提高约2.7%,同时Rsp仅增加0.9%左右。
- 李维杰王兴王云峰李洋孟丽华
- 关键词：NLDMOS击穿电压比导通电阻离子注入快速热退火
- 一个高性能、低功耗18位音频模数转换器(ADC)
- 本文设计了一个针对高端间频应用的低功耗18位∑△模数转换器(ADC)。转换器包含一个采用开关电容电路实现的2-1级联∑△调制器和一个抽取滤波器。通过系统结构和电路模块两个方面对调制器进行优化设计,优化调制器系统数来提高其...
- 马绍字韩雁黄小伟杨立吾
- 关键词：音频电路模数转换电路设计
- 文献传递
- 钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响
- 2019年
- 研究了钝化层退火工艺引入的氢对P-Flash存储器耐久性的影响,建立了这一影响的物理模型,阐明了耐久性退化的机理。在四种不同测试条件下,对P-Flash存储器进行了编程/擦除的耐久性测试。测试结果表明,在高温且延时的条件下,器件的耐久性最差。耐久性与编程/擦除之间的延时相关,延时越长,耐久性衰减越严重。在器件编程后的延时过程中,SiO2/Si界面处被氢原子钝化的硅悬挂键发生断裂。氢原子的不稳定性导致更多的界面陷阱电荷和氧化层电荷的产生,使得阈值电压负向偏移,造成负偏压温度的不稳定。通过优化BEOL工艺,可有效改善P-Flash存储器的耐久性。
- 朱梦华余山陈勇潘晶毛海央
- 关键词：氢原子耐久性
- 硫代酰胺螯合树脂的吸附特性与电镀废水银回收
- 2023年
- 电镀废水银吸附回收受共存离子及有机物影响。基于胺基聚苯乙烯(APS)制备了一种胺基和芳环协同的硫代酰胺螯合树脂ATMCR,在银吸附特性研究的基础上,将其应用于电镀废水银回收。采用FT-IR、SEM和BET对合成树脂进行了表征。ATMCR对Ag(I)的吸附属于自发、吸热过程,符合拟二级动力学模型,吸附pH为1~2,318 K时ATMCR的吸附容量达177.6 mg/g。高、低两种浓度电镀废水的处理实践表明,在Cu、Ni和COD共存时,ATMCR的Ag回收率>98%,具备较好的工业应用前景。
- 王铭剑王康杰刘耀驰
- 关键词：银电镀废水
