浙江大学材料科学与工程学系
- 作品数：1,380 被引量：4,908H指数：29
- 相关作者：王启东董伟霞吴刚袁骏张秀淼更多>>
- 相关机构：杭州电子科技大学电子信息学院烟台大学环境与材料工程学院华北电力大学可再生能源学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 铸造多晶硅中的镍沉淀
- 本文用红外扫描电镜（SIRM）研究了快冷和慢冷条件下铸造多晶硅中的镍沉淀规律。实验发现:相对于直拉单晶硅,镍在铸造多晶硅中存在着更低的沉淀温度,大约在700℃就有明显的镍沉淀生成;低温快冷下这些镍一般在晶界上偏聚沉淀,而...
- 席珍强俞征峰杨德仁Moeller HJ
- 关键词：镍
- 文献传递
- 快速凝固和热压高锰硅的微观结构和热电性能被引量：11
- 2004年
- 用快速凝固和热压烧结方法制备了三种不同成分的P型高锰硅(HMS)材料MnSi_(175-x)(x=0,0.02,0.04)。微观组织结构分析表明,在Mn_4Si_7半导体相基体中,存在小区域平行分布的薄片状MnSi金属相,其形成机制是在快速凝固时的准定向凝固。随高锰硅中Si含量的增加,试样的电导率下降,Seebeck系数上升。分析表明,影响高锰硅性能的主要因素在400℃以下是载流子散射,在约500℃以上是电子激发。实验得到的热电功率因子最高值为1.3×10^(-3)Wm^(-1)K^(-1)(570℃)。
- 刘晓虎赵新兵倪华良陈海燕
- 关键词：快速凝固热压热电性能热电材料
- Al、N共掺杂实现ZnO的p型转变及其掺杂机理探讨被引量：8
- 2004年
- 利用直流反应磁控溅射以Al、N共掺杂的方法生长p -ZnO薄膜。ZnO薄膜沉积于具有不同衬底温度的玻璃或Si衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来源于AlxZn1-x(x =0 0 8% )靶材。利用XRD、XPS、Hall测试对其性能进行了分析。结果表明 ,用Al、N共掺杂的方法可以得到c轴择优取向的p型ZnO薄膜 ,载流子浓度为 (10 14 ～ 10 15)cm-3 ,电阻率为 (1 5 4～3 4 3)× 10 3 Ω·cm ,迁移率为 (1 16～ 4 6 1)cm2 /V·s。由Al、N共掺杂和仅掺N的两种情况下ZnO薄膜的N1s的XPS图谱可以推断出 ,N的掺入可能是以Al-N键的形式存在 ,而且Al的存在促进了N原子作为受主的掺入。
- 钱庆叶志镇袁国栋朱丽萍赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜共掺杂SI衬底载流子浓度直流反应磁控溅射衬底温度
- MH-Ni电池失效的电化学分析被引量：9
- 2001年
- 通过对失效MH Ni电池的解剖 ,用电化学方法研究分析了贮氢合金表面处理对充放电循环寿命终止时MH Ni电池负极的充放电性能和极化性能的影响。负极充放电曲线表明未处理贮氢合金电极的表面已严重氧化 ,其极化电阻大约是处理贮氢合金电极的 3～ 4倍。而经表面处理的贮氢合金电极仍具有良好的充放电性能和小的极化电阻。
- 袁俊祁建琴涂江平冯海陈长聘陈卫祥
- 关键词：MH-NI电池贮氢合金电化学
- MgNH改性Li-Mg-N-H体系的储氢性能及其机理被引量：5
- 2014年
- 研究了MgNH改性的Mg(NH2)2-2LiH体系的吸放氢性能及其机理。结果显示,MgNH的出现明显改变了样品的热分解行为,大部分氢能够在180℃以下放出,但总的放氢量从5.0wt%降低到了4.2wt%。MgNH部分替代Mg(NH2)2提高了样品的吸放氢平台压力,改善了滞后性能。结构研究表明,不同的化学成分导致了不同结构的吸放氢产物。原始Mg(NH2)2-2LiH样品的放氢产物主要为正交结构的亚氨基化物,而包含MgNH的样品的放氢产物为立方结构的亚氨基化物。吸氢后,Mg(NH2)2-2LiH样品能够回到起始反应物质,但包含MgNH的样品中可以明显观察到新的三元亚氨基化物Li2Mg2N3H3。
- 顾颖杰李超莫方杰周铮楠刘永锋高明霞潘洪革
- 关键词：金属氢化物气固反应热力学
- 水热法合成在可见光照射下具有高催化活性的纳米TiO_2催化剂(英文)被引量：19
- 2004年
- 以丙酮为溶剂 ,采用水热法在 2 4 0℃合成了表面吸附有机物的纳米TiO2 粉体光催化剂 ,并采用XRD ,TEM ,UV Vis和DRS等技术对催化剂进行了表征 .结果表明 ,合成的纳米TiO2 催化剂在可见光激发下具有良好的光催化降解甲基橙的性能和较好的热稳定性 .经 180 ,2 5 0和 36 5℃热处理后 ,催化剂的晶型和尺寸没有变化 ,但催化剂表面吸附的有机物发生了明显变化 .催化剂表面吸附的有机物、可见光波段的光响应性能和可见光下催化降解甲基橙的效率之间存在良好的关联性 ,催化剂表面吸附适量的有机物可提高纳米TiO2 催化剂在可见光波段的光响应性能 。
- 唐培松洪樟连周时凤樊先平王民权
- 关键词：纳米水热法可见光
- 磁控溅射法制备的CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜被引量：9
- 2005年
- 采用溅射方法成功地制备了CaCu3Ti4 O1 2 薄膜 ,用原子力显微镜、x射线衍射 (XRD)仪和LCR分析仪对样品进行形貌、物相结构和介电性质的研究 .XRD表明 ,薄膜比块体的晶格常数小但晶格畸变较大 ;LCR测量结果显示 ,在相同温度下薄膜比块体的相对介电常数低 ,薄膜相对介电常数由低到高转变时对应的温度较高且激活能较大 .分析表明 :薄膜的相对介电常数较低是样品中晶相含量较低、缺陷较多使内部阻挡层电容大量减小、致密度不高引起的 ;薄膜中激活能的增大由膜和基底间晶格的不匹配造成膜中的内应力增大、微结构、缺陷和畴等因素决定 ;介电常数在低频时的急剧增大 ,意味着存在界面极化 ,它与界面的缺陷、悬挂键有关 .
- 周小莉杜丕一
- 关键词：磁控溅射介电常数激活能
- 直拉单晶硅中洁净区形成后铜沉淀行为的研究
- 2013年
- 本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为.样品经过高低高三步常规热处理形成洁净区后,在不同温度下引入杂质铜,然后对样品分别进行普通热处理和快速热处理,通过腐蚀和光学显微镜研究发现,在700℃引入铜杂质后经过普通热处理和快速热处理都不会破坏洁净区,在900℃和1100℃引入铜杂质后经过普通热处理不会破坏洁净区,而经过快速热处理会破坏洁净区.研究表明,快速热处理可以使硅片体内产生大量的空位,空位的外扩散是破坏洁净区的主要原因.
- 张光超徐进
- 关键词：直拉单晶硅
- 非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨被引量：2
- 2003年
- 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO_2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO_3光波导薄膜。利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO_3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数。非晶态SiO_2过渡层上的LiNbO_3薄膜由尺度约为150 nm×150 nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构。棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO_3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导。此外,对于LiNbO_3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式。
- 何军辉叶志镇
- 关键词：光波导薄膜脉冲激光沉积
- ZrO2溶胶对刚玉-莫来石推板性能影响的研究
- 刚玉-莫来石质材料具有优良的高温强度、抗蠕变性、抗热震性和较高的使用温度(1650℃),其化学稳定性良好,不易与所承烧的产品发生反应,特别适用于烧成软磁(铁氧体)材料和电子绝缘陶瓷。目前,国内高温瓷件的稚板窑常采用刚玉-...
- 程本军詹树林王家邦郑建平
- 关键词：ZRO2溶胶刚玉-莫来石推板
- 文献传递
