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国家重点基础研究发展计划(2010CB327502)

作品数：12 被引量：32H指数：4
相关作者：金智刘新宇苏永波周静涛杨成樾更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所西安电子科技大学电子科技大学更多>>
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资助

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共 23 条 记 录，以下是 1-10
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 电极 光刻胶
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苏永波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：磷化铟 INP DHBT INP基 W波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹玉雄
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP INP基 INGAAS/INP INALAS HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周静涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基二极管 硅基 太赫兹 垂直腔面发射激光器 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁芃
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 INP基 溶胶-凝胶法 电路 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张毕禅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP基 电路 太赫兹 单片集成电路 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪丽丹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP基 电路 太赫兹 单片集成电路 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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