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国家重点基础研究发展计划(51327010101)
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张玉明
张义门
吕红亮
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张义门
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
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张玉明
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
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吕红亮
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 半导体器件 MESFET 参数提取方法 源区
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曹全君
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MESFET 4H-SIC 大信号模型 射频 大信号
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汤晓燕
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
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罗小蓉
供职机构:电子科技大学
研究主题:导通压降 关断损耗 槽栅 LIGBT SOI
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王悦湖
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
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李肇基
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
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郭辉
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
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张波
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
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