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国家自然科学基金(60906048)

作品数：7 被引量：7H指数：1
相关作者：王颖刘云涛高嵩陈宇贤葛梅更多>>
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领域

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主题

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  • 2个低通
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机构

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资助

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地区

  • 9个黑龙江省
共 9 条 记 录，以下是 1-9
王颖
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：击穿电压 缓冲层 透明阳极 扩散阻挡层 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宇贤
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：LIGBT 击穿电压 导通压降 FPGA 多通道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程超
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：击穿电压 导通电阻 槽栅MOSFET 槽栅 功率MOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王颖
供职机构：哈尔滨工程大学
研究主题：牺牲 栅氧化层 晶体管 功率MOS器件 电子系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李婷
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：LIGBT 击穿电压 导通压降 FPGA 多通道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高嵩
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：FPGA实现 SIMULINK 多道脉冲幅度分析器 滤波器 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹儒
供职机构：哈尔滨工程大学
研究主题：击穿电压 功率 碳化硅 导通电阻 结构参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛梅
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：MOS器件 SOI结构 比导通电阻 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘云涛
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
研究主题：低功耗 全差分 接口 抗辐射 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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