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国家科技重大专项(2009ZX02035-006)

作品数:2 被引量:4H指数:2
相关作者:闫江陈广璐高建峰吴次南贺晓彬更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所贵州大学更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

  • 13个国家科技重大...
  • 6个国家自然科学...
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传媒

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地区

  • 12个北京市
  • 1个贵州省
13 条 记 录,以下是 1-10
闫江
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 掩模 栅极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵利川
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:料层 场效应晶体管 金属硅化物 穿通 选择性刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐兆云
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 空腔 集成度 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈广璐
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:粗糙度 掩膜 精确控制 金属栅极 图案化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴次南
供职机构:贵州大学
研究主题:微波加热 高考 教育公平 杀菌效果 超导转变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 介质层 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺晓彬
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 光刻胶 电子束曝光 电子束 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许静
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 隧道结 磁矩 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李春龙
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 衬底 刻蚀 掩模 粗糙度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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