您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(2011CB301903)

作品数：13 被引量：16H指数：2
相关作者：张金城刘扬杨帆敖金平王硕更多>>
相关机构：中山大学德岛大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 14个电子电信
  • 4个理学
  • 2个自动化与计算...
  • 2个文化科学
  • 1个生物学
  • 1个金属学及工艺
  • 1个电气工程
  • 1个医药卫生
  • 1个农业科学
  • 1个一般工业技术
  • 1个历史地理

主题

  • 13个氮化镓
  • 12个GAN
  • 12个MOSFET
  • 12个场效应
  • 11个半导体
  • 11个SI衬底
  • 11个衬底
  • 10个等离子增强化...
  • 10个绝缘栅
  • 10个化学气相
  • 10个化学气相沉积
  • 10个场效应管
  • 8个导体
  • 8个势垒
  • 7个电离
  • 7个施主
  • 7个阈值电压
  • 7个外延层
  • 7个物理学
  • 6个稳定性

机构

  • 13个中山大学
  • 1个德岛大学

资助

  • 14个国家高技术研...
  • 14个国家重点基础...
  • 14个国家自然科学...
  • 14个国际科技合作...
  • 14个国家教育部博...
  • 5个广州市科技计...
  • 4个广东省自然科...
  • 4个广东省科技计...
  • 1个电子信息产业...
  • 1个广东省重大科...
  • 1个中央高校基本...

传媒

  • 14个中国科技论文
  • 12个第13届全国...
  • 4个电力电子技术
  • 4个电源学报
  • 3个半导体技术
  • 3个第十七届全国...
  • 3个2013年全...
  • 2个半导体光电
  • 2个第十五届全国...
  • 2个第十五届全国...
  • 1个激光生物学报
  • 1个文物春秋
  • 1个照明工程学报
  • 1个微纳电子技术
  • 1个第六届中国国...
  • 1个2011’全...

地区

  • 10个广东省
共 14 条 记 录，以下是 1-10
刘扬
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金城
供职机构：中山大学
研究主题：GAN MOSFET MI 氮化镓 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构：中山大学
研究主题：FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈震
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：阈值电压 栅极 MOSFET GAN 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构：德岛大学
研究主题：GAN MOSFET 氮化镓 截止频率 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑越
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：GAN MOSFET 稳定性 氮化镓 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪毅强
供职机构：中山大学
研究主题：绝缘层 势垒 沟道 FET器件 氮化物半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周桂林
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 层状结构 肖特基势垒二极管 肖特基势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王硕
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题：场板结构 材料特性 表面态 MOSFET HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0