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国家部委预研基金(51308030201)

作品数：11 被引量：28H指数：3
相关作者：杨银堂贾护军柴常春李跃进韩茹更多>>
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领域

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主题

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机构

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  • 1个西安通信学院

资助

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  • 8个国家杰出青年...
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传媒

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  • 5个电子器件
  • 4个传感器技术
  • 4个无机材料学报
  • 3个电子与信息学...
  • 3个电子学报
  • 3个光子学报

地区

  • 19个陕西省
共 19 条 记 录，以下是 1-10
杨银堂
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾护军
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属半导体场效应晶体管 半绝缘 电极 4H-SIC 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴常春
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 电磁脉冲 电极 高功率微波 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李跃进
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 碳化硅 同轴 微传感器 多芯片组件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任学峰
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：MESFET 4H-SIC 解析模型 4H-碳化硅 Ⅰ-Ⅴ特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋坤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：隔离层 功率密度 绝缘衬底 金属半导体场效应晶体管 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈斌
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：半导体材料 碳化硅 AOI 二值图像 骨骼
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩茹
供职机构：西北工业大学
研究主题：6H-SIC 碳化硅 感应耦合等离子体 刻蚀速率 补偿电流源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马振洋
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：双极晶体管 高功率微波 样式 信号 二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张滨
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：低噪声放大器 增益 噪声系数 SIGE_HBT 超宽带低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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