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国家自然科学基金(10425419)

作品数：4 被引量：0H指数：0
相关作者：邓加军赵建华郑玉宏毕京锋王玮竹更多>>
相关机构：中国科学院中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇磁性
  • 1篇导体
  • 1篇闪锌矿结构
  • 1篇室温铁磁性
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇微波
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇反射率
  • 1篇半导体
  • 1篇半金属
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  • 1篇THIN_F...

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇王玮竹
  • 2篇毕京锋
  • 2篇郑玉宏
  • 2篇赵建华
  • 2篇邓加军
  • 1篇李树深
  • 1篇杨威
  • 1篇夏建白
  • 1篇姬扬
  • 1篇罗海辉
  • 1篇钱轩

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Growth parameter dependence of magnetic property of CrAs thin film
2007年
毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹鲁军姬扬李树深
关键词：磁性材料
闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
2007年
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.
毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深
关键词：半金属室温铁磁性分子束外延
Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质
2007年
利用低温分子束外延技术制备了Cr掺杂的InAs铁磁性自组织量子点.高分辨电子显微镜分析表明InAs:Cr量子点保持了较好的闪锌矿结构.超导量子干涉仪磁性测量表明InAs:Cr自组织量子点的铁磁转变温度超过400K.
郑玉宏赵建华毕京锋王玮竹邓加军夏建白
关键词：稀磁半导体铁磁性分子束外延
高迁移率GaAs/Al_(0.35)Ga_(0.65)As二维电子气的微波回旋共振研究
2010年
掌握微波辐照下的电子态性质是理解高迁移率二维电子气在低磁场区的纵向电阻振荡和零电阻态等新奇物理现象的关键.基于反射率测量的微波回旋共振技术(RODCR),研究了高迁移率、低浓度GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气在Ka波段微波辐照下的电子态性质.通过在不同条件下的RODCR测量,具体讨论了微波交变电场方向、入射激光波长和温度等因素对RODCR测量结果的影响规律.研究结果表明,RODCR测量技术为研究二维电子系统的电子态性质提供了简便而有力的手段.
杨威罗海辉钱轩姬扬
关键词：微波反射率二维电子气
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