上海市教育委员会创新基金(08YZ156)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：曹阳根唐佳郑中山唐海马于芳更多>>
- 相关机构：上海工程技术大学中国科学院济南大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于Moldex3D的IC封装模CAE建模方法被引量：2
- 2010年
- 以SSOP-20L集成电路塑封为例,运用Moldex3D软件建立CAE模型.用此方法建立的CAE模型与物理模型具有较好的相似性,可作为IC塑封模拟金线变形和芯片偏移的基础模型,并可预见塑封过程中可能发生的问题,为模具浇注系统的设计提供可靠依据.
- 唐佳曹阳根
- 关键词：MOLDEX3DIC封装
- 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响被引量：1
- 2011年
- 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响,向其埋氧层内注入了1016cm-2的高剂量氮.实验结果表明,与未注氮的埋氧层相比,所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加.实验还发现,注氮后的退火可使埋氧层内的正电荷密度进一步上升.但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比,退火时间对注氮的埋氧层内正电荷密度的影响不大.电容-电压测量结果显示,在埋氧层内部,注氮后未退火的样品与在1100℃的氮气气氛下退火2.5h的样品相比,二者具有近似相同的等效正电荷面密度.然而,经0.5h退火的样品却对应最高的等效电荷面密度.为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理,对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟.模拟结果表明,氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷.对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现,注入损伤在经0.5h的高温退火后即可基本消除.实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析.分析认为,注入的氮在埋氧层与硅界面附近积累,导致近界面富硅区的硅-硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要原因.
- 唐海马郑中山张恩霞于芳李宁王宁娟李国花马红芝
- 关键词：注氧隔离注氮
