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辽宁省教育厅基金资助项目(LR201030)

作品数:1 被引量:2H指数:1
相关作者:马贺郭连权张平冷利李大业更多>>
相关机构:沈阳工业大学更多>>
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相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇能隙
  • 1篇外磁场
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇金属
  • 1篇金属型
  • 1篇紧束缚
  • 1篇紧束缚模型
  • 1篇Π电子
  • 1篇磁场

机构

  • 1篇沈阳工业大学

作者

  • 1篇李大业
  • 1篇冷利
  • 1篇张平
  • 1篇郭连权
  • 1篇马贺

传媒

  • 1篇沈阳工业大学...

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
外磁场中单壁碳纳米管π电子能隙的理论计算被引量:2
2013年
为了得到单壁碳纳米管在外磁场作用下的电子结构规律,从紧束缚模型出发,利用量子理论和固体理论计算了在外磁场作用下单壁碳纳米管(SWNTs)中π电子的能带表达式.在此基础上,利用SWNTs的周期性边界条件和晶体中的布洛赫定理,得到了扶手椅型SWNTs中π电子的能带表达式,进而推导了外磁场作用下能隙宽度的表达式,从而得知能隙是磁通量Φ的周期函数.由金属型SWNTs的判据m-n=3J(J=0,1,2,3,…)可知,扶手椅型SWNTs(m=n)均为金属型,但由于其在外磁场的作用下可能产生能隙,由此证明了扶手椅型SWNTs可以由金属型转变为半导体型的规律.
郭连权张平冷利马贺李大业
关键词:磁场单壁碳纳米管紧束缚模型Π电子能隙金属型
共1页<1>
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