厦门市科技计划项目(3502Z20063002)
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- 标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究
- 2009年
- 设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nm空间调制(Spatially Modulated,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTRE环境中等效电路的新模型。提出标准CMOS工艺下SM探测器与前置放大电路单片集成的电路设计。仿真结果表明,在850 nm光照下,SM探测器带宽达到400 MHz,并提供62 mA/W的响应度。整个集成芯片的工作速率为400 Mb/s,增益为0.81 kV/W,功耗为91 mW。
- 陈伟程翔卞剑涛陈朝芦晶
- 关键词：光电集成CMOSSPICE模型前置放大器
- 光学头中单片光电集成硅基PDIC的设计
- 2010年
- 针对应用于DVD光学头的关键部件PDIC,设计了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的硅基PDIC。芯片采用CSMC的0.5μmBCD工艺,集成了p-i-n探测器与前置放大电路。重点介绍了p-i-n光电探测器及前置放大电路的设计思想。仿真结果表明,用于光电检测的p-i-n光电探测器在650 nm光照下响应度达0.2 A/W,互阻放大器的-3 dB带宽达到94 MHz,跨阻增益达150 kΩ。可以满足DVD系统的性能要求。
- 柯庆福程翔芦晶张寅博李继芳陈朝
- 关键词：单片集成BCD前置放大器
- 光收发器中光电集成接收芯片的实现
- 2010年
- 针对应用于850nm光通信中的10/100Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成。整体芯片面积为0.6mm2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100mW,并给出了具体的测试性能结果。结果表明,在850nm光照下,光接收芯片带宽达到53MHz,工作速率为72Mbit/s。重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求。
- 芦晶程翔颜黄苹李继芳柯庆福陈朝
- 关键词：单片集成
- 一种基于BCD工艺的850nm光接收芯片的研制被引量：1
- 2010年
- 采用0.5μm BCD工艺研制了一种850 nm光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器及后续处理电路.通过器件模拟设计并分析了基于BCD工艺的光电探测器的结构及其特性;设计光接收芯片的增益约为43.23 kΩ,上限截止频率为700 MHz.测试结果表明,探测器暗电流为pA量级,响应度为0.08 A/W.光接收芯片功耗约为100 mW,电噪声为4 nW;在输入313 Mbit/s非归零伪随机二进制序列调制的信号及无误码的情况下,灵敏度为-13.0 dB.m;该光接收芯片速率可达622 Mbit/s.
- 颜黄苹程翔李继芳黄元庆
- 关键词：BCD探测器前置放大器
