浙江省科技计划项目(C21G2040066)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计
- 在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路。该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置。采用Cadence公司的...
- 张海鹏汪洋李浩
- 关键词：功率放大器自偏置共源共栅
- 文献传递
- 0.18μm CMOS高效高增益功率放大器设计被引量：1
- 2012年
- 在自偏置A类共源共栅射频功率放大电路拓扑基础上,基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了两级自偏置A类射频功率放大器电路。该射频功率放大器电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置。采用Cadence公司的SpectreRF工具对电路进行仿真与优化。设计与优化结果表明,在2.4GHz频率下,输出功率为20.3dBm,功率附加效率为49%,功率增益达到32dB。
- 张海鹏汪洋李浩
- 关键词：功率放大器自偏置共源共栅
- 一种自偏置预失真线性功率放大器被引量：1
- 2010年
- 该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率下,1dB压缩点的输出功率为22.5dBm,此时的PAE是25.1%。
- 陈波张海鹏许生根齐瑞生
- 关键词：功率放大器自偏置预失真共源共栅线性化
