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上海市信息化发展专项资金(2003010)

作品数:5 被引量:35H指数:4
相关作者:陆卫陈效双熊大元李宁汤乃云更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:上海市信息化发展专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇INAS/G...
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇上转换器件
  • 1篇砷化镓
  • 1篇探测器
  • 1篇频率响应
  • 1篇转换器件
  • 1篇碲化镉
  • 1篇离子注入
  • 1篇量子阱红外探...
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光栅
  • 1篇光栅耦合

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇陆卫
  • 3篇陈效双
  • 2篇李宁
  • 2篇汤乃云
  • 2篇熊大元
  • 1篇周孝好
  • 1篇甄红楼
  • 1篇郭旭光
  • 1篇周旭昌
  • 1篇曾勇
  • 1篇季亚林
  • 1篇孙立忠
  • 1篇孙沿林
  • 1篇邵军

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
InAs/GaAs量子点的静压光谱压力系数研究被引量:7
2005年
采用有效质量模型和非线性弹性理论计算了不同尺寸InAs /GaAs量子点的静压光谱发光峰的压力系数 (PC) .量子点峰位随压力的变化主要来自禁带宽度和电子束缚能随压力变化两方面的贡献 .由于InAs GaAs量子点是一个应变体系 ,体系的晶格常数 ,失配应变和弹性系数均随外加压力变化 ,使得加压后量子点的禁带宽度相对于非应变体系略有减小 ,同时势垒高度增加 ,电子束缚程度增加 .两者共同作用引起的InAs应变层的禁带宽度压力系数减小是导致量子点的压力系数小于InAs体材料的主要原因 .同时计算结果表明 ,电子束缚能随压力变化对不同尺寸量子点的压力系数的影响不同 ,量子点尺寸越小 ,受其影响越大 ,压力系数也越大 .
汤乃云陈效双陆卫
关键词:量子点砷化镓半导体
红外-近红外波长变换器件p-QWIP-LED研究被引量:8
2006年
报道了一种基于p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的新型量子阱红外探测器.该器件作为一种p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的有效集成器件,可以将QWIP探测的长波红外信号经光电转换过程后变成LED在近红外的发光.通过电学直接读出方式和近红外(0.87μm)光强度变化读出方式,从实验上测量了器件的红外响应光谱,设计与制备的器件实现了从长波红外(7.5μm)向近红外(0.87μm)的波长变化.研究结果表明这种红外-近红外波长变换途径有可能导致红外焦平面技术体制的变化.
甄红楼熊大元周旭昌李宁邵军陆卫
关键词:上转换器件发光光谱频率响应
CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算被引量:11
2004年
利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度 .引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数 ,相对于传统方法 ,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数 .本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时 。
孙立忠陈效双郭旭光孙沿林周孝好陆卫
关键词:密度泛函理论FLAPW碲化镉
离子注入对InAs/GaAs量子点光学效质的影响被引量:3
2005年
研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响,对其光致发光峰强进行了拟合计算.研究发现量子点的发光峰强度主要由载流子俘获时间和非辐射复合寿命决定.由于后退火处理能够部分的消除因质子注入造成的缺陷,量子点中非辐射复合中心浓度与注入剂量成亚线性关系;退火温度越高,非辐射复合中心被消除越多,亚线性程度越高.界面混合导致的俘获效率的增加和注入损伤引起的非辐射复合是相互竞争过程,存在一个临界的注入剂量NC,当注入剂量N小于NC,界面混合作用较为明显,量子点发光峰强随注入剂量增加而增强;当N大于NC时,质子注入引起了大量的非辐射复合中心,主要表现为注入损伤,量子点的发光峰强随注入剂量增加而迅速减弱.退火温度越高,NC越大.
汤乃云季亚林陈效双陆卫
关键词:量子点离子注入
甚长波量子阱红外探测器光栅耦合的研究被引量:8
2006年
采用平面波展开的散射矩阵方法研究n型甚长波量子阱红外探测器的二维衍射光栅,并同时从实验方面研究了其红外透射光谱.研究表明,n型量子阱器件的光栅耦合是传输场和倏逝场共同作用的结果.对于n型量子阱红外探测器的光栅耦合,光栅周期、光栅深度和占空比三者之间相互影响;要达到好的光学耦合效果,需要根据量子阱器件的峰值探测波长选择合适的光栅参数.
熊大元曾勇李宁陆卫
关键词:光耦合
共1页<1>
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