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中国科学院知识创新工程领域前沿项目(SupportedbyCASInvationProgram)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王伟宁永强秦莉王烨张立森更多>>
相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程领域前沿项目吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇远场
  • 1篇远场分布
  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇光束
  • 1篇光束质量
  • 1篇发射激光器
  • 1篇高光束质量
  • 1篇场分布
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔面
  • 1篇垂直腔面发射
  • 1篇垂直腔面发射...
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 1篇刘云
  • 1篇王贞福
  • 1篇张星
  • 1篇史晶晶
  • 1篇王立军
  • 1篇孙艳芳
  • 1篇张岩
  • 1篇刘光裕
  • 1篇张立森
  • 1篇王烨
  • 1篇秦莉
  • 1篇宁永强
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器被引量：1
2010年
报道了优化p面电极的高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器(VCSEL).采用数学模型对VCSEL的电流密度进行了模拟计算,发现电流密度分布由氧化孔直径和p面电极直径决定.确定氧化孔直径后,优化p面电极直径可以实现电流密度的均匀分布,抑制远场光斑中高阶边模的产生.将p面电极直径优化为580μm,制作的600μm的VCSEL远场发散角从30°减小到15°,优化器件的阈值电流和最高输出功率都略有增加.通过改进器件封装方式后,器件输出功率达到2.01W,激射波长为982.6nm.
张岩宁永强王烨刘光裕张星王贞福史晶晶王伟张立森秦莉孙艳芳刘云王立军
关键词：垂直腔面发射激光器高功率远场分布
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