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国家自然科学基金(20976016)

作品数:9 被引量:22H指数:2
相关作者:周艺郭长春欧衍聪肖斌何文红更多>>
相关机构:长沙理工大学中南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖南省自然科学基金湖南省重大科技专项更多>>
相关领域:电气工程化学工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇电池
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 4篇太阳电池
  • 3篇多晶硅太阳电...
  • 3篇硅太阳电池
  • 2篇少子寿命
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 1篇电池性能
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学阻抗
  • 1篇电化学阻抗谱
  • 1篇电极
  • 1篇动力学
  • 1篇镀膜
  • 1篇多孔
  • 1篇氧化层
  • 1篇乙烯
  • 1篇扫描电子显微...

机构

  • 8篇长沙理工大学
  • 1篇中南大学

作者

  • 8篇周艺
  • 6篇肖斌
  • 6篇欧衍聪
  • 6篇郭长春
  • 3篇何文红
  • 2篇黄燕
  • 1篇黄可龙
  • 1篇胡旭尧
  • 1篇党铭铭
  • 1篇李荡
  • 1篇吕彩霞
  • 1篇朱志平
  • 1篇石德晖
  • 1篇李宏

传媒

  • 2篇材料导报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇可再生能源
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇长沙理工大学...
  • 1篇Transa...

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
Preparation and photoelectric effect of Zn^(2+)-TiO_2 nanotube arrays
2010年
Zn 2+-TiO2 nanotube arrays were prepared by anodic oxidation method.The current-time curves were used to investigate their growth mechanism.Scanning electron microscopy and X-ray diffractometry were applied to characterizing their structures and properties.The photoelectrochemical properties were studied by electrochemical impedance spectrum(EIS).The optimised working conditions for TiO2 nanotube arrays were found to be pH 1,0.5%HF(mass fraction),20 V oxidation voltage and for 2 h.The produced sample was in anatase form,with length of 70-100 nm,thickness of 10 nm,uniform diameter and structure that does not collapse under the preparation conditions.The EIS results show that TiO2 nanotube arrays prepared with 0.5%HF(mass fraction) present a low impedance and TiO2 nanotube arrays loaded by Zn 2+could have a decreased resistance.This decrease could likely accelerate the transfer of carriers and even increase photoelectric conversion.
周艺石德晖李宏党铭铭吕彩霞黄可龙
关键词:纳米管阵列光电效应扫描电子显微镜TIO2纳米管电化学阻抗谱
多孔TiO_2薄膜电极的制备及光电性能被引量:1
2010年
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳晶薄膜电极.为了提高电极的光电性能,选用聚苯乙烯(PS)微球作造孔剂,制备了多孔TiO2纳晶薄膜电极.利用XRD,SEM对样品进行了表征,并用此薄膜电极组装了染料敏化太阳能电池,并在模拟太阳光下进行了光电性能测试,考察PS微球的量对样品微结构和光电性能的影响.实验结果表明,PS微球乳液为7%时,TiO2薄膜电极空隙率较高,孔径均匀,且光电性能最优.
石德晖周艺李宏党铭铭吕彩霞
关键词:染料敏化太阳能电池聚苯乙烯多孔光电性能
表面织构化对于多晶硅太阳电池性能的影响
2013年
表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要。在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射率特性进行表征分析。结果表明:低反射率的织构化表面并未获得更高的转换效率,而在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,腐蚀100 s制备得到的"蠕虫状"的腐蚀坑分布均匀,反射率约为26%;且可以很好匹配太阳电池生产工艺中的后续工序,制备得到的太阳电池效率为16.68%,Voc和Jsc分别为623 mV和34.55mA/cm2。该织构化方案已在25 MW多晶硅太阳电池生产线上实施,绒面质量得到保证,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。
周艺何文红郭长春欧衍聪肖斌
关键词:多晶硅酸腐蚀太阳电池性能
碳纳米管吸附腐植酸的动力学、热力学及机理研究被引量:13
2011年
针对天然水中腐植酸(HA)类溶解性有机物去除问题,采用多壁碳纳米管为吸附剂,在不同的pH值、吸附剂量、初始HA浓度下进行吸附动力学实验,用准二级速率方程拟合了动力学数据,其线性相关度在0.99以上,拟合得到的平衡吸附量为27mg/g,与实验结果(25.5 mg/g)基本一致.在25~50℃下进行了碳纳米管吸附腐植酸的等温吸附实验,以Langmuir模型拟合的平衡吸附量为29.7mg/g,与实验结果相近.用Clapeyron-Clausius与Gibbs-Helmholtz方程计算的自由能(ΔG)、焓(ΔH)、熵(ΔS)皆为负值,说明碳纳米管对腐植酸的吸附为放热熵减过程.碳纳米管的表面、管间隙、管内腔及管束之间形成的束聚孔为其有效吸附点位,腐植酸与碳纳米管间的π-π作用也是吸附的主要原因之一.
朱志平黄可龙周艺
关键词:碳纳米管腐植酸动力学热力学
PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响被引量:5
2012年
采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
周艺欧衍聪郭长春肖斌何文红胡旭尧
关键词:减反膜工艺参数
多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响
2012年
重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60~70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。
周艺肖斌黄燕金井升郭长春欧衍聪
关键词:扩散氧化层少子寿命太阳电池多晶硅
低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响被引量:1
2012年
采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。
周艺郭长春欧衍聪肖斌李荡高振洲
关键词:多晶硅腐蚀速率温度
多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究被引量:2
2012年
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。
周艺欧衍聪郭长春肖斌何文红黄岳文金井升
关键词:多晶硅太阳电池PECVD
多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化
2012年
采用少子寿命测试仪对扩散前后的硅片少子寿命进行了分析,当扩散后的方块电阻控制在55~65Ω时,低温变温扩散工艺处理的硅片少子寿命最高达到12.18μs,低温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为10.67μs,高温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为8.20μs。低温变温扩散工艺处理的太阳电池分别比传统的低温恒温扩散工艺处理和高温恒温扩散工艺处理的太阳电池转换效率提高0.79%和0.42%。
周艺肖斌金井升黄燕郭长春欧衍聪
关键词:太阳电池少子寿命
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