您的位置： 专家智库 > >

国家高技术研究发展计划(2005AA123720)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：蔡克理蔡树军杜鹏搏更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所武汉大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇钝化
  • 1篇侧墙

机构

  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇杜鹏搏
  • 1篇蔡树军
  • 1篇蔡克理

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响
2007年
利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响。
杜鹏搏蔡克理蔡树军
关键词：侧墙
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0