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国家高技术研究发展计划(2005AA123720)
作品数:
1
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相关作者:
蔡克理
蔡树军
杜鹏搏
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相关机构:
中国电子科技集团第十三研究所
武汉大学
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杜鹏搏
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钝化边沿的制作及其对GaInP/GaAs SHBT性能的影响
2007年
利用光刻胶形成保护侧墙,用湿法腐蚀来形成发射极钝化边沿。这种方法工艺简单,不需要额外的绝缘介质作为掩膜,也不需要双层腐蚀终止层。研发出了带发射极钝化边沿的GaInP/GaAs单异质结双极型晶体管(SHBT),并对不同尺寸有无钝化边沿的器件特性进行对比,结果表明钝化边沿能有效改善小尺寸器件的直流特性,对器件的高频特性无明显影响。
杜鹏搏
蔡克理
蔡树军
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侧墙
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