教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-07-0065)
- 作品数：8 被引量：16H指数：3
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- 相关机构：北京科技大学北京大学更多>>
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- Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏性能及其气敏机理被引量：3
- 2016年
- 采用化学气相沉积方法在预制好电极的玻璃基底上制备出Sn掺杂ZnO薄膜和纯ZnO薄膜.两种样品典型的形貌为四足状ZnO晶须,其直径约为150—400 nm,呈疏松状结构.气敏测试结果显示Sn掺杂ZnO薄膜具有优良的室温气敏性,并对乙醇具有良好的气敏选择性,而纯ZnO薄膜在室温条件下对乙醇和丙酮均没有气敏响应.X射线衍射结果表明两种样品均为六方纤锌矿结构.Sn掺杂ZnO样品中没有出现Sn及其氧化物的衍射峰,其衍射结果与纯ZnO样品对比,衍射峰向小角度偏移.光致发光结果表明,Sn掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜均出现紫外发光峰和缺陷发光峰,但是Sn的掺杂使得ZnO的缺陷发光峰明显增强.将Sn掺杂ZnO样品在空气中退火后,其室温气敏性消失,说明Sn掺杂ZnO样品的室温气敏性可能与其缺陷含量高有关.采用自由电子散射模型解释了Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏机理.
- 邢兰俊常永勤邵长景王琳龙毅
- 关键词：化学气相沉积
- Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25～90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。
- 陆映东常永勤张敬民王明文郭佳林王永威龙毅
- 关键词：光致发光化学气相沉积
- 钇掺杂ZrO_2陶瓷的制备及性能研究被引量：2
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶法结合放电等离子体烧结(SPS)技术成功制备出立方相结构的掺杂8%(原子分数)Y2O3的ZrO2(8YSZ)陶瓷块体。X射线衍射(XRD)结果表明样品烧结前后均为单一的立方相结构,但是烧结后的样品的晶粒尺寸增大,结晶性变好。Raman光谱结果表明烧结前样品为单一的立方相结构,SPS烧结后样品为单斜相和立方相的混合物,其中单斜相的含量较少。认为XRD与Raman光谱检测结果不一致是因为ZrO2的单斜相和立方相的晶格常数接近以及XRD检测精度不够高造成的。采用SPS方法制备出的样品的致密度为92.7%,显微维氏硬度为1551 MPa。
- 吕亮常永勤陈琼刘瑞朋龙毅
- 关键词：YSZ立方相RAMAN
- 一种P掺杂ZnO纳米梳的制备及其光致发光性能研究被引量：2
- 2014年
- 采用化学气相沉积(CVD)方法制备了P掺杂ZnO纳米梳,扫描电子显微镜(SEM)结果显示,纳米梳状产物均匀分布在Si衬底上。P掺杂ZnO纳米梳为高度结晶的六方纤锌矿结构,ZnO中P的掺杂含量约为2%(原子分数)。室温光致发光(PL)光谱表明,P掺杂ZnO纳米梳在样品不同区域的发光性能略有不同,但是均出现3个发光峰:紫外、绿光和近红外发光峰。同时PL结果也表明样品的整体结晶质量比较好。
- 邵长景崔兴达常永勤龙毅
- 关键词：化学气相沉积光致发光
- 常压条件下制备SnO_2纳米线及其光学性能研究被引量：3
- 2009年
- 在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构。在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰。研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO2纳米线的形成过程中起重要的作用。
- 陆映东常永勤孔广志王明文郭佳林龙毅张寅虎林杰
- 关键词：SNO2纳米线常压气相沉积光致发光
- Sn掺杂ZnO半导体纳米线的制备、表征及光学性能
- 2011年
- 采用化学气相沉积法获得了Sn掺杂含量约为2.4%(原子分数)的Sn掺杂ZnO半导体纳米线。X射线衍射结果表明,Sn的掺杂并没有改变ZnO的纤锌矿结构。掺杂纳米线的室温光致发光光谱在409.2nm和498.0nm处出现了蓝绿光发光峰。探讨了其发光机制,认为前者可能来源于从导带到Zn空位形成的浅受主能级的跃迁以及从氧空位形成的浅施主能级到价带的跃迁;而后者来源于从氧空位形成的浅施主能级到锌空位浅受主能级的跃迁。
- 郭佳林常永勤王明文陆映东王彪龙毅
- 关键词：ZNO纳米线光致发光发光机制CVD
- 立方相Y掺杂ZrO_2纳米晶薄膜的制备与辐照效应研究被引量：1
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶结合旋涂法在单晶Si衬底上制备了立方相Y掺杂Zr O2纳米晶薄膜(YSZ),并分析了制备工艺参数对YSZ成膜的影响。采用光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射和透射电镜等手段对样品进行了表征和分析。结果表明,加入PVA作为分散剂、采用分级干燥工艺以及提高匀胶转速可大大提高YSZ薄膜的成膜质量,制备的YSZ薄膜表面十分平整,没有出现裂纹。YSZ薄膜为立方相结构,没有出现其它相。薄膜由平均晶粒尺寸为9.4 nm的纳米晶组成,薄膜的厚度约为60 nm。在室温条件下,低剂量的Xe离子辐照YSZ薄膜后出现微裂纹,而当辐照剂量比较高时,由于热峰效应,辐照引起的微裂纹逐渐发生愈合。并且,随着辐照剂量的增加,YSZ薄膜的平均晶粒尺寸增大。
- 王卡万康张静陈林陈琼常永勤龙毅
- 关键词：凝胶法立方相辐照效应
- Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究被引量：4
- 2009年
- 采用热蒸发法制备了单晶Sn掺杂ZnO纳米带,其中Sn的掺杂含量约为5%(原子分数)。X射线衍射(XRD)结果表明Sn掺杂ZnO纳米带为单相纤锌矿结构。X射线光电子能谱(XPS)表明样品中Sn的价态为4+。样品的室温光致发光谱(PL)在445.8nm处存在较强的蓝光发射峰,对其发光机制进行了分析。
- 郭佳林常永勤王明文陆映东龙毅
- 关键词：光致发光热蒸发
