国家自然科学基金(60706015)
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
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- 基于CMOS工艺的Si-LED器件设计与测试
- 2011年
- 采用CSMC(华润上华)0.5μmCMOS工艺设计和制备了正向偏置和反向偏置情况下发出两种不同种类光的Si-LED。在室温条件下,对器件进行了初步测试,正向导通电压为0.7V,反向击穿电压为7.5V。器件的结构采用P-base层与n+区交叠,形成Si-pn结LED。观察了Si-LED发光显微照片及实际器件的版图,并对器件的发光进行了光谱特性测量。Si-LED在正向偏置时,发出红外光,其发光峰值在1125nm;Si-LED在反向偏置时,发出可见光,其发光峰值在725nm。
- 谷晓牛萍娟李晓云郭维廉
- 关键词：CMOS工艺反向偏置
- 电极布局对硅LED性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用0.35μm双栅标准CMOS工艺设计和制备了叶型硅发光器件。叶型硅发光器件由3个楔型器件的组合而成,pn结结构为n阱/p+结。使用奥林巴斯IC显微镜测得了器件的显微图形,并对器件进行了电学特性测试。器件工作在雪崩击穿下,开启电压为8.8 V,能够发出黄色可见光;正向偏置下,器件开启电压为0.8 V。在与已经制备的楔型器件比较时发现,器件发光受串联电阻分压影响,并且有点增强发光现象,这些情况均与器件的电极布局有关。
- 杨广华李晓云
- 关键词：CMOS工艺
- 共振隧穿器件及其集成技术发展趋势和研究热点被引量：2
- 2009年
- 在概括了共振隧穿器件及其集成技术的特点和分析了其发展趋势的基础上,给出了该领域当前的研究热点。
- 郭维廉牛萍娟李晓云谷晓张世林梁惠来毛陆虹
- 关键词：共振隧穿器件
- 电子束辐照对GaN基蓝光LED性能的影响被引量：7
- 2010年
- 研究了低能电子束辐照(LEEBI)对大功率GaN基蓝光LED性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对蓝光LED进行LEEBI,并对比未辐照的LED,研究其电学性质和光学性质的变化。结果表明,在电子束辐照下,LED发光强度提高,正向电压变小,击穿电压变小。同时利用电子束辐照机理对实验结果进行了分析和讨论。
- 梁亮牛萍娟于莉媛
- 关键词：光学器件发光二极管氮化镓
- 标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
- 2009年
- 描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率。在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了SiLED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向I-V特性和发光光谱。器件在室温下反向偏置,50mA电流下所得辐射亮度值为14.43nW,发光峰值在772nm处。
- 杨广华毛陆虹王伟黄春红郭维廉
- 关键词：硅发光二极管
