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浙江省自然科学基金(600026)

作品数：6 被引量：14H指数：2
相关作者：朱大中章安良孙颖饶源陈继凯更多>>
相关机构：浙江大学宁波大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇声表面波
  • 3篇质量传感器
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇模拟开关
  • 2篇加权
  • 2篇高频模拟开关
  • 2篇CMOS
  • 1篇电路
  • 1篇电再生
  • 1篇信号
  • 1篇信号处理
  • 1篇信息融合
  • 1篇声表面波传感...
  • 1篇声表面波滤波...
  • 1篇声表面波器件
  • 1篇声表面波延迟...
  • 1篇特性分析
  • 1篇滤波器

机构

  • 6篇浙江大学
  • 1篇宁波大学

作者

  • 6篇朱大中
  • 3篇章安良
  • 2篇孙颖
  • 2篇饶源
  • 1篇黄浙隆
  • 1篇陈继凯

传媒

  • 4篇压电与声光
  • 1篇传感器技术
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2003
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
S型声表面波器件特性分析被引量：1
2005年
在128°Y切割X传播方向上的L iN bO3基片上设计并研制了S型声表面波器件。它将输入IDT激发的声表面波中心对称分成两路并由各自的输出IDT检测输出。应用P矩阵法分析了其中一输出IDT检测输出的1次时延信号、3次和5次渡越反射信号与输入IDT所加的电信号之间的关系式,并与“一”字型器件的3次渡越反射信号进行对比。结果表明,S型声表面波器件能有效地降低3次和5次渡越反射信号。
章安良朱大中孙颖
关键词：声表面波器件
双声路声表面波质量传感器的研究被引量：2
2003年
在LiNbO3晶片上设计并实现了一种新型的双声路延迟线型声表面波质量传感器。利用光刻工艺在每个声传播路径上构造了一个方形质量沉积区,当有物质沉积到该区时,由于质量沉积效应,声表面波的波速发生变化,使以延迟线作为反馈回路的振荡器的振荡频率发生变化,并通过这一变化反映出沉积物的质量。为了补偿温度对器件传输频谱的影响,该器件采用双声路结构,一路为传感声路,一路为参考声路。介绍了器件的设计、工艺流程和测试方法,最后对测试结果进行了分析和讨论。测试结果表明该传感器的温度系数为7Hz/°C,灵敏度为4.9×10-6cm2/g。
陈继凯朱大中黄浙隆
关键词：声表面波传感器
Y型双声路声表面波质量传感器及其测量系统被引量：9
2003年
报道了一种在128°Y切割X传播方向的LiNbO3基片上设计并研制新型的延迟线型声表面波质量传感器及测量系统。由于环境温度对声表面波质量传感器性能影响较大,因此采用新型的Y型双声路结构克服环境温度对传感器性能的影响。阐述了Y型双声路质量传感器器件的结构及设计、测试电路的原理,对实验结果作了分析讨论。测试结果表明:器件相对温度系数仅为11Hz/°C左右,器件的质量沉积效应灵敏度为3.62GHz·cm2/g,并且具有良好的线性度。
章安良朱大中
关键词：声表面波传感器声表面波延迟线
CMOS多路加权SAW滤波器高频模拟开关研究
2006年
报道了0．6μm CMOS4路可编程加权高频模拟开关集成电路，其开关和加权功能分别由两个高跨导的N沟MOS晶体管实现。模拟开关连续可调的动态加权范围最大为21．3dB，最小插入损耗约为-6dB。在线功能测试表明，该集成电路可对中心频率在50～250MHz范围内的声表面波（SAW）滤波器进行取样、加权、可编程加权叠加，可应用于多芯片模式组成的可编程声表面波滤波器。
孙颖朱大中饶源
关键词：CMOS集成电路高频模拟开关
声表面波质量传感器被引量：3
2005年
在128°Y切割X传播方向上的LiNbO3基片上设计并研制了新型声表面波(SAW)质量传感器。它将输入叉指换能器激发的SAW中心对称分成两路并由各自的输出叉指换能器检测输出。由于环境温度对SAW延迟线振荡器的振荡频率影响较大,传感器的输出不仅决定于质量沉积区所沉积的质量,还决定于测量时所处的环境温度。为此,在SAW质量传感器测量时,同时监测传感器的输入信息质量沉积区的质量和环境温度及其输出频率信息,采用多传感器信息融合技术进行融合处理,质量传感器的温度灵敏度分别从αs0.2=0.8007/℃,αs0.6=0.2488/℃提高到α's0.2=1.71×10-2/℃,α's0.6=3.28×10-3/℃。
章安良朱大中
关键词：声表面波信息融合
CMOS四路可加权高频模拟开关的设计和研究
2005年
介绍了一种可对高频信号进行取样、加权、控制、叠加的模拟信号处理开关集成电路,通过两个高宽长比的高跨导NM O S晶体管可实现权值的粗调和微调。该电路采用标准0.6μm CM O S工艺制造。测试结果表明:该电路的工作频段为50~250 MH z时,导通时最小插入损耗约为-5.0^-10.5 dB,关断时隔离度可达-40.5^-23.4 dB左右;其连续可调的加权动态范围最大值为21.3 dB。
饶源朱大中
关键词：模拟信号处理高频模拟开关
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