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河北省自然科学基金(E20-08000079)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：马晓薇薛晶晶陈贵锋马巧云郝秋艳更多>>
相关机构：天津商业大学浙江大学河北工业大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金河北省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：建筑科学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学

主题

  • 1篇氧沉淀
  • 1篇诱生缺陷
  • 1篇直拉硅
  • 1篇中子辐照
  • 1篇快中子辐照

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇天津商业大学

作者

  • 1篇郝秋艳
  • 1篇马巧云
  • 1篇陈贵锋
  • 1篇薛晶晶
  • 1篇马晓薇

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
2010年
利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺陷密度增加。当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化。较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低。经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀。
马巧云陈贵锋马晓薇薛晶晶郝秋艳
关键词：快中子辐照直拉硅氧沉淀
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