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国家重点基础研究发展计划(2010CB327701)

作品数:20 被引量:53H指数:5
相关作者:赵毅刘式墉李传南陈宇岳守振更多>>
相关机构:吉林大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所圣安德鲁斯大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇发光
  • 10篇发光器件
  • 8篇电致发光
  • 8篇电致发光器件
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  • 8篇有机电致发光...
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  • 3篇有机发光
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  • 2篇多晶
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  • 2篇有机发光器件
  • 2篇驱动电路
  • 2篇准分子

机构

  • 21篇吉林大学
  • 1篇吉林师范大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇圣安德鲁斯大...

作者

  • 14篇赵毅
  • 13篇刘式墉
  • 7篇李传南
  • 6篇段羽
  • 5篇陈平
  • 5篇岳守振
  • 5篇陈宇
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  • 4篇张健
  • 4篇王鹏
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  • 3篇张睿
  • 3篇骆杨
  • 2篇刘楠楠
  • 2篇侯晶莹
  • 2篇丁益宏
  • 2篇张振松
  • 2篇谢国华
  • 2篇杨春城
  • 2篇李涛

传媒

  • 7篇物理学报
  • 5篇光子学报
  • 2篇高等学校化学...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇发光学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇半导体光电
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2012
  • 7篇2011
  • 1篇2010
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型有机白光器件的初步研究被引量:2
2011年
白光有机电致发光器件(WOLED)具备很多天然的技术优点,可以应用在下一代照明设备上,因此正成为研究的新热点.但是由于传统的多层或单层WOLED结构受染料浓度和载流子传输难以控制等因素的限制,使进一步优化器件效率和白光色度稳定成为WOLED发展的瓶颈.本工作针对传统WOLED存在的上述问题,设计制备了新型的具有颜色互补的黄色和蓝色发光条纹,交替排列所组成的WOLED器件,并且分析了黄光—蓝光条纹尺寸和改变照射角度对器件光照稳定性的影响.
段羽陈平赵毅刘式墉
关键词:白光
有机电致发光器件的新型薄膜封装技术研究被引量:7
2014年
针对有机电致发光器件(OLED)在空气中水汽和O2作用下寿命下降的问题,提出一种对OLED进行薄膜封装方法。封装薄膜由电子束蒸镀Al2O3薄膜和原子层沉积(ALD,atomic layer deposition)Al2O3薄膜相结合形成。利用Ca薄膜电学测试方法测定封装薄膜的水汽透过率(WVTR)。具体实现方法是,采用玻璃作为衬底,在100nm的Al电极上蒸镀200nm的Ca膜,然后对整个系统进行薄膜封装,只留出Al电极的一部分作为探针接触电极。实验发现,采用电子束蒸镀结合ALD的Al2O3薄膜封装,Ca薄膜变成透明的时间比未封装或采用单一结构封装得到了延长。为了检验薄膜封装效果,制作了一组绿光OLED,器件结构为ITO/MoOX(5nm)/mMTDATA(20nm)/NPB(30nm)/Alq3(50nm)/LiF(1nm)/Al,实验结果表明,本文提出的薄膜封装方法对器件进行封装,器件的寿命得到了延长。
骆杨李天骄段羽
关键词:薄膜封装
开环茂金属成环及氢分子消除反应机理的理论研究
2012年
采用密度泛函方法(DFT)在M06-2X/def2-TZVPP//B3LYP/def2-TZVPP+ZPE水平下,对以开环的(η5-C5H7)2Ru为前驱体生成闭环(η5-C5H5)2Ru的各种可能的反应路径进行了详细的研究.最终确定其反应机理为:(η5-C5H7)2Ru的一个η5-C5H7发生端碳成键的成环反应形成(η3-C5H7)Ru(η5-C5H7),经过两步氢原子迁移到Ru原子上,之后脱掉一个氢气分子形成(η5-C5H5)Ru(η5-C5H7),而后另一个η5-C5H7再重复成环并进行两步氢迁移以及氢气分子消除而得到最终的产物(η5-C5H5)2Ru.
刘楠楠丁益宏
关键词:反应机理密度泛函理论
硼取代后氨化处理的分子筛碱性的理论研究
2012年
利用笼状的分子筛模型,在B3LYP/6-311++G(d,p)水平下通过对分子筛中各种碱性基团的碱性进行对比来预测硼取代后氨化处理的分子筛的碱性.结果表明,B—NH2基团本身碱性不强,但与质子或路易斯酸作用时,B—NH2基团与周围的Si—OH基团共同参与作用并导致碱性增强.另外,分子筛中含有的Si—NH2基团也可与周围的B—OH共同作用,产生强碱性.因此,硼取代后氨化处理的分子筛是一种优良的碱性材料.
刘楠楠丁益宏
关键词:分子筛碱性密度泛函理论
采用Li_3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究被引量:11
2011年
相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层,有效地提高了有机发光器件器件的性能,在掺杂浓度为5%,掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定,并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气,避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点,有利于工艺处理.
崔国宇李传南李涛张睿侯晶莹赵毅刘式墉
关键词:有机发光器件N型掺杂电子注入层
一种采用Li_3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备被引量:7
2011年
采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3Nn型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力;在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层,降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒,改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能,完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.
张睿李传南李涛崔国宇侯晶莹赵毅刘式墉
关键词:有机发光器件N型掺杂势垒
梯度掺杂体异质结对有机太阳能电池光电转换效率的影响被引量:3
2013年
基于传统的体异质结有机太阳能电池结构,对结构中的混合层改用梯度掺杂的方法,在AM1.5,100mW/cm2光照下,使得器件的短路电流由原来的7.72mA/cm2提高到了9.18mA/cm2,相应的光电转换效率提高了25%.器件性能的提升归因于梯度掺杂体系的引入使得体异质结混合层中同一材料分子之间形成了较好的连续网络结构,降低了器件的串联电阻,提高了电极对载流子的收集效率,从而提高了器件的光电转换效率.
王鹏郭闰达陈宇岳守振赵毅刘式墉
关键词:有机太阳能电池梯度掺杂
用于微显示的顶发射OLED的SPICE仿真模型研究
2010年
常用的EDA软件如HSPICE中没有顶发射有机发光器件的仿真模型,导致设计硅基有机发光器件微显示像素驱动电路时存在困难.为此,本文研究了用于微显示的顶发射有机发光器件的SPICE仿真模型,分别讨论了二极管连接的MOS管模型、单个二极管以及双二极管并联模型等方案,分析了其等效电路,同时根据顶发射有机发光器件的实验数据拟合了对应的电路参量,最后用HSPICE软件对三种模型的等效电路进行仿真和结果比较.比较发现采用二极管连接的MOS管模型得到的拟合误差最小,但仿真误差最大;采用单个二极管模型得到的拟合与仿真误差都较大;采用双二极管并联模型得到的拟合与仿真误差均较小且满足驱动电路设计的要求.结果表明双二极管并联模型可作为用于硅基有机发光器件微显示电路设计中的顶发射有机发光器件的SPICE仿真模型.
宗绍鑫李传南吕晨怀谢国华赵毅刘式墉
关键词:微显示SPICE仿真模型
基于连续性掺杂的高效全荧光白色有机电致发光器件的研究被引量:6
2013年
利用荧光材料PT-01,PT-86,PT-05作为黄色荧光客体,蓝色荧光客体以及荧光母体制备了一种基于连续性掺杂结构的全荧光白光有机电致发光器件.其发光层为主体/客体薄层/主体/客体薄层···交替蒸镀的重复单元.通过优化发光层中主体的厚度并检测发光层中单线态激子的分布,将黄、蓝两种客体染料生长在发光层中适当的位置,得到了高效且光谱稳定的全荧光白光器件.其最大电流效率为11.2 cd/A,亮度在159—20590 cd/m2范围内色坐标仅有(±0.004,±0.005)的改变.基于这种连续性掺杂结构制备的器件,其性能不但可以达到传统主-客体共掺结构所制备的器件的性能,而且具有较高的可重复性,更适合产业化大批量生产.
吴清洋谢国华张振松岳守振王鹏陈宇郭闰达赵毅刘式墉
关键词:白色有机电致发光器件可重复性
利用空间电荷限制电流方法确定三(8-羟基喹啉)铝的电子迁移率特性初步研究被引量:2
2012年
材料的迁移率是其关键电学特性之一.有机材料迁移率的研究对于有机电致发光器件、有机太阳电池、有机薄膜场效应晶体管性能的提高有重要的意义.应用简单易行的空间电荷限制电流方法,对基于三(8-羟基喹啉)铝(Alq_3)的四种单载流子器件电流密度-电压曲线特性进行研究,根据空间电荷限制电流模型,拟合出Alq_3材料在四种器件中的零场电子迁移率和电场依赖因子,并且给出Alq_3电子迁移率随外加偏压的变化趋势.实验结果表明,顶电极铝蒸镀到缓冲层氟化锂(1 nm)和Alq3(100 nm)的表面后,可以明显改善Alq_3的零场迁移率和电场依赖因子.认为产生这种现象的原因是氟化锂可以使铝和Alq_3发生络合反应,形成Li^(+1)Alq^(-1)粒子,形成良好的欧姆接触,使得电子的注入效率大大提高.
骆杨段羽陈平臧春亮谢月赵毅刘式墉
关键词:缓冲层迁移率
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