广东省自然科学基金(10152902001000025)
- 作品数：7 被引量：18H指数：3
- 相关作者：朱慧群李毅黄毅泽张宇明孙若曦更多>>
- 相关机构：五邑大学上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金国家高技术研究发展计划上海市教育委员会科技发展基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 纳米VO_2/ZnO复合薄膜的热致变色特性研究被引量：3
- 2011年
- 为提高VO2薄膜的热致变色性能,采用纳米结构和复合结构二者相结合的方法,通过磁控溅射技术先在玻璃衬底上制备高(002)取向ZnO薄膜,再在ZnO层上室温沉积钒金属薄膜,最后经热氧化处理获得纳米结构VO2/ZnO复合薄膜.利用变温拉曼光谱观察分析了VO2/ZnO薄膜相变前后的晶格畸变和键态的演变过程,讨论了薄膜的结构与热致红外开关特性和相变温度的内在关系.结果显示,与相同条件获得的同厚度的单层VO2薄膜相比,纳米VO2/ZnO复合薄膜具有高(002)取向,相变前后的红外透过率差值增加2倍,热滞宽度收窄约5℃,相变温度降低约8℃.研究结果表明这种纳米复合薄膜既可显著增强VO2薄膜的红外光开关调制能力,同时又能明显降低薄膜的相变温度.
- 朱慧群李毅周晟黄毅泽佟国香孙若曦张宇明郑秋心李榴沈雨剪方宝英
- 关键词：ZNOVO2纳米复合薄膜热致变色拉曼光谱
- 花状掺杂W-VO_2/ZnO热致变色纳米复合薄膜研究被引量：2
- 2014年
- 为解决掺杂引起的二氧化钒薄膜的红外调制幅度下降以及二氧化钒复合薄膜相变温度需要进一步降低等问题,采用纳米结构、掺杂改性和复合结构等多种机理协同作用的方案,利用共溅射氧化法,先在石英玻璃上制备高(002)取向的Zn O薄膜,再在Zn O层上室温共溅射沉积钒钨金属薄膜,最后经热氧化处理获得双层钨掺杂W-VO2/Zn O纳米复合薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜和变温光谱分析等对薄膜的结构、组分、形貌和光学特性进行了分析.结果显示,W-VO2/Zn O纳米复合薄膜呈花状结构,取向性提高,在保持掺杂薄膜相变温度(约39?C)和热滞回线宽度(约6?C)较低的情况下,其相变前后的红外透过率差量增加近2倍,热致变色性能得到协同增强.
- 朱慧群李毅叶伟杰李春波
- 关键词：VO2ZNO热致变色
- 钨钒共溅热致变色薄膜的制备及其红外光学性能被引量：3
- 2012年
- 为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索。先在室温条件下采用磁控共溅射的方法于玻璃基片上制备得到含钨量为1.4%的金属薄膜,再在空气中采用后退火工艺使金属薄膜充分氧化为热致变色薄膜。对薄膜样品的物理结构和光学性能进行了分析,发现钨钒共溅没有改变VO2薄膜在玻璃表面择优取向生长,但显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征。观察到钨钒共溅热致变色薄膜的相变温度较普通VO2薄膜从68℃降低至40℃,热滞回线温宽由6℃缩小为3℃,低温半导体相的红外透过率分别为62%和57%。结果表明,钨钒共溅可达到相变温度降低,热滞回线温宽变窄,掺杂前后红外透过率变化不大之目的。
- 周晟李毅朱慧群孙若曦张宇明黄毅泽李榴沈雨剪郑秋心佟国香方宝英
- 关键词：热致变色VO2薄膜相变
- 共溅射氧化法制备掺钼VO_2及其相变特性
- 2015年
- 采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜。通过XRD、SEM、热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构、形貌、热滞回线和相变温度的影响。实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃。低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好。
- 朱慧群陈飞王启汶杜尚昆李竻康
- 关键词：VO2薄膜相变
- p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质被引量：4
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性。
- 朱慧群李毅丁瑞钦王忆黄洁芳张锐华
- 关键词：磁控溅射P型ZNO薄膜磷掺杂异质结
- ZnO:Ag薄膜的制备及其光学性能研究
- 2012年
- 采用蒸镀与氧化二步法,以高纯混合金属Zn：Ag作蒸发源,在石英衬底上沉积Zn：Ag金属薄膜,经不同热氧化处理生长Ag掺杂ZnO薄膜。结果显示,以Ag含量为质量分数3%的蒸发源沉积的Zn：Ag薄膜经500℃氧化后,生成的ZnO：Ag薄膜在380 nm附近出现很强的近带边紫外发光峰,在438~470 nm附近出现较弱的深能级缺陷发光峰,该薄膜在360 nm有接近垂直的吸收边,其载流子浓度为1.810×1021cm–3,表现出p型导电特性和较好的光学质量。
- 朱慧群黄洁芳
- 关键词：AG掺杂ZNO热蒸发光学性能
- 热致变色纳米节能薄膜红外光学特性被引量：7
- 2010年
- 采用室温溅射沉积和空气热氧化方法低成本地制备出纳米结构热致变色节能薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪和红外光谱分析仪等对其特性进行测试分析,研究了热氧化退火与VO2薄膜的微结构和热致红外开关特性的内在关系,找出了直接影响薄膜的晶粒尺寸、晶格结构、组分、热滞回线和红外透射比等的主要因素及其控制方法,获得了最佳工艺参数并在玻璃上制备出高能效的纳米VO2热致变色节能薄膜。根据X射线衍射谱和拉曼光谱结果,利用相关公式计算得到VO2的平均晶粒大小约为45 nm。薄膜在2.5μm波长处相变前后红外透射比差量超过50%,相变温度为39℃,可见光透射比约达53%,显示了很好的热致变色性能。
- 朱慧群李毅王海方俞晓静周晟黄毅泽张虎张伟孙若曦张宇明
- 关键词：热致变色磁控溅射
