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室温磷光材料二(2-苯基吡啶)(2-(2-吡啶)苯并咪唑)合铱(III)的合成及光电特性被引量：11: 2012年; 以2-苯基吡啶(ppy)为主配体,2-(2-吡啶)苯并咪唑(pybiH)为辅助配体合成了一种室温蓝绿色磷光发射材料二(2-苯基吡啶)(2-(2-吡啶)苯并咪唑)合铱(III)((ppy)2Ir(pybi)),通过傅里叶变换红外(FTIR)光谱、核磁共振氢谱(1HNMR)、质谱(MS)、元素分析对其结构进行了表征.利用紫外-可见吸收光谱、荧光激发和发射光谱、循环伏安曲线,结合含时密度泛函理论(TD-DFT)模拟计算研究了(ppy)2Ir(pybi)的光物理特性及能级结构,并研究了其电致发光性能.(ppy)2Ir(pybi)的紫外吸收峰分别位于250,295,346和442nm,与理论模拟计算吻合得很好;(ppy)2Ir(pybi)为蓝绿光发射,发光峰分别位于495和518nm;(ppy)2Ir(pybi)的最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)能级分别为-6.11和-3.43eV,光学带隙为2.68eV;以(ppy)2Ir(pybi)为掺杂剂,4,4-N,N-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,制备电致磷光器件,电致发射峰位于508nm,最大亮度为8451cd·m-2,最大电流效率为17.6cd·A-1.这些研究为(ppy)2Ir(pybi)在有机电致发光领域的应用提供实验依据.; 岳岩许慧侠郝玉英解晓东屈丽桃王华许并社; 关键词：2-苯基吡啶光电特性分子轨道

以双(2-二苯基磷苯基)醚为配体的蓝色磷光铜(Ⅰ)配合物的合成及光电特性研究: 2012年; 合成了一种新型的室温天蓝色磷光发射材料双(2-二苯基磷苯基)醚碘合铜(Ⅰ)([(POP)CuI]2)配合物。通过红外光谱、X-射线单晶衍射确定其分子结构,并对其光电特性进行了详细研究。结果表明:[(POP)CuI]2为二聚体结构,主要吸收峰为227,268,291 nm,最大发射峰为475 nm,光学带隙为2.93 eV。以[(POP)CuI]2作为客体掺杂在主体CBP中作为发光层,制备了结构为ITO/NPB(30 nm)/CBP∶[(POP)CuI]2(30 nm,8%)/BAlq(10 nm)/Alq3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(200 nm)的器件,其电致发光峰为476 nm,最大亮度为9 539 cd/m2,最大电流效率为1.9 cd/A。; 屈丽桃许慧侠郝玉英李云飞任静琨王华许并社

具有激子限定结构的磷光/荧光混合型体系白光OLED: <正>目前白光OLED中仍然没有很好的深蓝磷光材料,所以磷光/荧光混合型体系依然是实现优质白光OLED重要途径之一。在这种白光OLED中存在着单线态激子与三线态激子的利用问; 林文晶苏文明张东煜王华周和丰崔铮; 关键词：白光 OLED 单线态三线态; 文献传递

RbVO3的光谱分析及能带结构研究被引量：2: 2010年; 采用杂化前驱体的湿化学合成法制备了偏钒酸铷(RbVO3)发光材料。利用粉末X射线衍射(XRD)、红外光谱仪(IR)等对RbVO3的结构进行了表征,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、光致发光光谱等研究了该发光材料的光致发光性能,并采用基于密度泛函理论的CASTEP程序计算了RbVO3的能带。结果表明,在357 nm紫外光的激发下,RbVO3产生发光峰在525 nm附近、色坐标为(0.318 0,0.430 9)的绿白光发射,发光亮度高;RbVO3计算的光学带隙为2.67 eV,与实验值较为吻合。; 李洁周禾丰刘旭光许并社; 关键词：光致发光

有机电致磷光器件界面电荷注入的研究: ＜正＞有机电致发光器件（OLED）中捕获界面电荷对器件性能的影响已经成为OLED研究的热点,电流传导以及载流子和电场分布对认识有机发光器件（OLED）的微观物理过程至关重要。众所周知,对于双层OLED,除金属-有机界面势...; 高志翔郝玉英王华许并社; 文献传递

铽(Ⅲ)配合物的合成及其光谱分析被引量：3: 2011年; 分别以1,10-邻菲啰啉、三苯基氧膦、2,2’-联吡啶为第二配体,并以苯甲酰丙酮为第一配体,合成了3种铽(Ⅲ)配合物。通过元素分析和红外吸收光谱确定了其结构,并利用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱,研究其发光机理。研究结果表明,3种铽(Ⅲ)配合物的光吸收以第一配体为主,激发下均能发射Tb3+的5 D4→7F4的电子跃迁特征峰;第一配体的第一激发态能级与第二配体间三重态激发能级之间的能级差以及第二配体三重态激发能级与Tb3+离子的5 D4间能级差是决定其荧光量子效率的两个关键参数。; 周禾丰王华张婷陈柳青许慧侠郝玉英; 关键词：荧光光谱

基于空间电荷限制电流模型的FeCl3掺杂CBP的空穴迁移率研究被引量：1: 2014年; 基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流法估算了具有不同浓度FeCl3掺杂的CBP的空穴迁移率,并与OLED中常用的空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)进行了比较研究。结果表明,FeCl3掺杂CBP可以极大地提高CBP薄膜的空穴迁移率,当FeCl3的浓度为12%时空穴迁移率最大,在电场强度为0.5MV/cm的条件下迁移率为4.5×10-5cm2/V·s,即使在零电场条件下迁移率依然高达2.2×10-5 cm2/V·s,近似为常用空穴传输材料NPB空穴迁移率的4倍。用CBP∶12%FeCl3做空穴传输层,制备了OLED器件,最大亮度为68468cd/m2,相对于采用NPB做空穴传输层的参比器件提高了97%,最大电流效率为31.28cd/A,比参比器件提高了23%。器件亮度和效率的提高归因于空穴传输性能的改善,使得器件中载流子的传输更为平衡,从而提高了激子形成的几率,且减少了激子-极化子之间的淬灭。; 袁树青朱媛莉王振国郝玉英王华许并社; 关键词：迁移率

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国家自然科学基金(60976018)