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中央高校基本科研业务费专项资金(K50511250001)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：李聪庄奕琪韩茹张丽包军林更多>>
相关机构：西安电子科技大学西北工业大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇轻掺杂漏
  • 1篇解析模型
  • 1篇交叠
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇西北工业大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇包军林
  • 1篇张丽
  • 1篇韩茹
  • 1篇庄奕琪
  • 1篇李聪

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型被引量：2
2012年
为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程,推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型.结果表明,新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应,并具有较小的关态电流.此外,分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响,而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大.解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.
李聪庄奕琪韩茹张丽包军林
关键词：解析模型
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