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北京市教育委员会科技发展计划(KM200910005023)

作品数：1 被引量：6H指数：1
相关作者：董国波张铭赵学平李杨超严辉更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市教育委员会科技发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇激活能
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇XO
  • 1篇X
  • 1篇CUCR

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇严辉
  • 1篇李杨超
  • 1篇赵学平
  • 1篇张铭
  • 1篇董国波

传媒

  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能被引量：6
2010年
采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备Mg掺杂的CuCrO2薄膜。通过XRD、紫外吸收光谱及电学性能的测量表征该系列薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:退火处理后所有薄膜样品的结晶性良好,均为3R型铜铁矿结构;薄膜的电导率随掺杂量的增加而增大。当x=0.09时,样品的室温电导率可达6.16×10-2S/cm,比未掺杂的CuCrO2提高近400倍,且霍耳测试表明所制备的薄膜为p型导电体。电导率随温度变化关系表明:薄膜样品在200～300K的温度范围内均很好地符合Arrhenius热激活规律;当x=0.09时,最低激活能仅为0.034eV。薄膜的可见光透过率与光学带隙宽度均随掺杂量的增加而减小。
李杨超张铭董国波赵学平严辉
关键词：光学带隙激活能
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