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国家科技型中小企业技术创新基金(07C262223201317)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：方赟钟传杰蔡艳慧更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇全加器
  • 1篇CMOS

机构

  • 1篇江南大学

作者

  • 1篇蔡艳慧
  • 1篇钟传杰
  • 1篇方赟

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种基于多数决定门的新型全加器的设计被引量：1
2010年
在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了一种基于低功耗XOR/XNOR电路和多数决定门的新型高性能全加器电路。多数决定门采用输入电容和静态CMOS反相器实现,降低了电路的功耗,提高了运算速度。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺器件参数,对全加器进行Spectre仿真。结果表明,在2.4 V到0.8 V电源电压范围内,与已有的全加器相比,新全加器在功耗和延迟上都有较大程度的改进。
方赟蔡艳慧钟传杰
关键词：全加器CMOS
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