北京市科技新星计划(2008B10)
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
- 相关作者：王如志严辉王波张影李开宇更多>>
- 相关机构：北京工业大学中山大学南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 场致电子发射薄膜材料研究评述被引量：2
- 2009年
- 场致电子发射(场发射)薄膜材料由于在场发射平板显示器、电子源等诸多高性能真空微电子器件上具有广阔的应用前景,引起了人们广泛的关注与研究兴趣。综述了场发射薄膜材料的理论与实验研究进展,并评述了场致电子发射薄膜材料研究的瓶颈问题及未来发展方向与趋势。
- 王如志王波严辉
- 关键词：场发射
- Er:YbF_3转光薄膜的制备及衬底温度对其光学性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上成功制备了具有上下转换的Er∶YbF3转光薄膜。研究发现,所制备的Er∶YbF3转光薄膜实现了上下转换两种机制的结合,能有效地把紫外光和红外光转换到非晶硅太阳能电池最佳响应范围内的656 nm处。进一步分析了衬底温度对薄膜相结构及光学性能影响的物理机制。当衬底温度高于500℃时,薄膜会随着温度的升高而结晶性变强,但有杂相生成。研究结果表明,Er∶YbF3转光薄膜的光学性能在衬底温度为500℃时最佳,有望应用到非晶硅太阳能电池上使其光电效率提高。
- 张影王如志王祥夫曲铭浩李开宇颜晓红严辉
- 关键词：太阳能电池衬底温度
- Pr^(3+),Yb^(3+)共掺YPO_4下转换材料的制备及其转光效率被引量：5
- 2012年
- 采用固相反应法制备了Pr3+,Yb3+共掺杂的YPO4下转换发光粉体,并在450 nm光激发条件下,研究了Yb3+不同摩尔分数(0%,1%,2%,4%,20%,30%)对转光效率的影响。结果表明:不同Yb3+浓度的样品,其荧光峰强度不同,这可能是由于Pr3+-Yb3+之间Yb3+浓度不同存在能量传递效率差异的原因。研究也发现了样品的下转换发光,其能量传递过程为:Pr3+:3P0→Yb3+:2F5/2+2F5/2。荧光光谱测试结果表明,Yb3+的最佳掺杂摩尔分数为2%。Pr3+,Yb3+共掺杂的YPO4材料在提高太阳能电池光电转换效率方面具有潜在的应用。
- 李开宇王如志曲铭浩张影严辉
- 关键词：稀土离子YPO4太阳能电池
- 反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响
- 2010年
- 采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0Pa)下沉积了一系列氮化铝(AlN)薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小。场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5Pa和0.7Pa)下制备的AlN薄膜具有一定的场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降。电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射。研究表明,为获得具有良好场发射性能的AlN薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能。
- 李松玲王如志赵维王波严辉
- 关键词：氮化铝薄膜场发射工作气压
- 不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究被引量：5
- 2013年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si及SiC基底上制备了相同厚度的GaN纳米薄膜并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析.结果表明:基底对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响.在SiC基底上所制备的GaN纳米薄膜相对于Si基底上的GaN纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升,其场发射电流可以数量级增大.场发射显著增强应源于纳米晶微结构及取向极化诱导增强效应.本研究结果表明,要获得优异性能场发射薄膜,合适基底及薄膜晶体微结构需要重点考虑.
- 陈程程刘立英王如志宋雪梅王波严辉
- 关键词：基底GAN场发射
- 脉冲激光沉积氮化铝薄膜及沉积参数对其场发射性能的影响
- 采用脉冲激光沉积(PLD)在不同靶基距或衬底温度下制备了两个系列氮化铝(AlN)薄膜。其场发射性能测试显示,两个系列的AlN薄膜场发射性能随着靶基距的增大或衬底温度的升高都是先提高后降低。靶基距为5.5cm和衬底温度为8...
- 李松玲王如志赵维宋志伟王波严辉
- 关键词：氮化铝薄膜脉冲激光沉积场发射衬底温度
- 文献传递
- 低维AlGaN材料制备及其场发射性能研究
- Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlGaN具有较宽的直接带隙,且能以带间跃迁的方式获得高效的辐射复合,具有电击穿强度高、漏电流小、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性和抗辐射强度高等优点,在场发射平板显示器,场效应晶体管及紫外光...
- 王如志王宇清宋志伟严辉
- 文献传递
- 立方(Ba_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3高压诱导带隙变化的第一性原理研究被引量：2
- 2011年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算研究了(Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)晶体在高压下的电子结构及能带变化行为.研究结果发现,随着压强的增加,BST能带间隙先增加,在压强为55GPa时达到最大值,然后减小,这些有趣的结果将有助于开发与设计新的BST铁电器件.进一步地,通过电子态密度和密度分布图的研究分析可知:在低压区域(055GPa),则是出现的离域现象占主导(电子的离域作用超过键态的作用),从而使带隙减小.
- 邓杨王如志徐利春房慧严辉
- 关键词：钛酸锶钡第一性原理
- 含扭转晶界位错Al金属拉伸强度第一性原理预测被引量：1
- 2012年
- 本文基于密度泛函理论第一原理方法,从影响力学性能本质的电子结构计算上,对含∑5{001}扭转晶界位错Al金属拉伸强度进行了预测,发现其理论拉伸强度达到8.73 GPa,临界应变为24%.拉伸强度低于文献报道(Phys.Rev.B 75,174101(2007))的倾斜晶界位错Al金属的理论拉伸强度9.5 GPa,但其临界应变却远大于倾斜晶界的16%.本研究结果表明,通过工艺参数控制,改变缺陷形态,可极大地改变其力学性能.进一步地,从电子结构层次上,分析了含晶界位错Al金属拉伸断裂行为的实质,通过分析电荷密度分布、键长变化等,发现其断裂处发生在晶界处;理论计算结果将对Al金属结构设计及力学性能改善具有重要的指导作用.
- 王如志徐利春严辉香山正宪
- 关键词：AL第一原理计算
- 硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究被引量：1
- 2013年
- 利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同Si掺杂浓度的铝镓氮(AlGaN)薄膜.对此薄膜进行场致电子发射测试表明,Si掺杂浓度为1%的AlGaN薄膜具有最好的场发射特性.相对于非掺杂样品,其场发射电流明显增加,场发射开启电场显著降低.掺杂带来载流子浓度的提升,为场发射提供足够的电子源,使样品的场发射性能提升.但掺杂浓度的进一步提高,薄膜缺陷增加,电子迁移率降低,其薄膜内部电子输运能力降低大于电子浓度的增加对场电子发射的贡献,导致场发射性能开始变差.
- 王京王如志赵维陈建王波严辉
- 关键词：铝镓氮场发射
