陕西省重大科技创新专项计划项目(2004K07-G9)
- 作品数：4 被引量：11H指数：3
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- 相关机构：西安理工大学西安交通大学更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- 不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响被引量：4
- 2006年
- 本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸S iC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同。得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论。
- 张群社陈治明李留臣蒲红斌封先锋陈曦
- 关键词：SIC磁矢势焦耳热
- PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响被引量：3
- 2007年
- 研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.
- 张群社陈治明李留臣杨峰蒲红斌封先锋
- 关键词：温度场空隙率
- 感应加热系统对大直径SiC晶体PVT法生长的影响
- 采用有限元分析法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同匝间距、线圈和坩埚之间不同相对位置对生长腔、粉源以及生长晶体中温度场的影响;分析比较了不同匝间距和线圈位置对晶体生长面径向温度梯度的影响。结...
- 张群社陈治明李留臣刘博蒲红斌封先锋
- 关键词：SIC温度场热应力
- 文献传递
- PVT法生长大直径6H-SiC晶体感应加热对系统的影响被引量：4
- 2007年
- 采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及晶体生长温度场的影响;分析比较了线圈不同高度和匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化。结果表明:在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,改善晶体的质量,同时又有较高的生长速率。
- 张群社陈治明李留臣蒲红斌封先锋
- 关键词：温度场温度梯度
- 感应加热线圈对PVT法生长大直径SiC晶体的影响被引量：4
- 2007年
- 采用有限元分析法,系统地研究了用PVT法制备大尺寸SiC晶体生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对晶体生长温度场的影响;获取了通过增大线圈匝间距和适当提高线圈高度可使系统加热效率降低、晶体生长速率减小,但同时却有利于SiC粉料有效升华的结论。此结论同样适用于AlN、GaN等半导体材料的制备。
- 张群社陈治明
- 关键词：温度场温度梯度
