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国家重点基础研究发展计划(51327030402)

作品数：2 被引量：5H指数：1
相关作者：武一宾张志国李若凡杨瑞霞马永强更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇POISSO...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电流
  • 1篇电流崩塌
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇压电
  • 1篇压电极化
  • 1篇异质结
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇极化效应
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇SCHROD...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇2DEG

机构

  • 2篇河北工业大学
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇马永强
  • 2篇杨瑞霞
  • 2篇李若凡
  • 2篇张志国
  • 2篇武一宾
  • 1篇许娜颖

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究被引量：5
2008年
通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因,并讨论了抑制电流崩塌的办法.
李若凡杨瑞霞武一宾张志国许娜颖马永强
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌
逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
2008年
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时，不考虑逆压电极化，2DEG浓度为1．53×10^13cm^-2；当等效外加电压分别为10和15v时，2DEG浓度降低至1．04×10^13cm^-2和0．789×10^13cm^-2，可见当等效外电压由0～15V变化时，2DEG浓度下降了48．4％。
李若凡武一宾马永强张志国杨瑞霞
关键词：氮化镓
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