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非平衡磁控溅射沉积Ta-N薄膜的结构与电学性能研究被引量：13: 2006年; 采用直流反应非平衡磁控溅射技术在单晶Si（100）和玻璃表面沉积氮化钽（Ta-N）薄膜。分别测试了薄膜的结构、成分、电阻率和吸收光谱，研究了氯氩流量比（N2：Ar）变化对Ta—N薄膜的结构和电学性能的影响。研究结果表明随N2：Ar增加，依次生成六方结构的γ-Ta2N、面心立方结构（fcc）的δ-TaNx体心四方结构（bct）的TaNx；N2：Ar在0．2～0．8的范围内，Ta—N薄膜中只存在着fcc δ-TaNx；当N2：Ar〉1之后，Ta—N薄膜中fCC δ-TaN，和bct TaNx共存。Ta—N薄膜电阻率随N2：Ar流量比增加持续增加，当N2：Ar为1．2时，薄膜变为绝缘体，光学禁带宽度为1．51eV。; 杨文茂张琦陶涛冷永祥黄楠; 关键词：非平衡磁控溅射反应溅射 XRD

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四川省青年科技基金(06ZQ026-015)