国家自然科学基金(69910161992)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 相关作者：黄如王阳元张兴张国艳廖怀林更多>>
- 相关机构：北京大学香港科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一个解析的适用于短沟SOI MOSFET’s的高频噪声模型被引量：3
- 2002年
- 提出了一个新的解析的适用于SOIMOSFET’s的高频噪声模型 .该模型通过耦合能量平衡方程克服了以往噪声模型所具有的缺点 ,并对短沟SOI器件的噪声给出精确地描述 .同时 ,利用该模型可以容易地计算出相对于最小噪声值处的优化的栅源电压 ,为低噪声的电路设计提供优化的设计方向 .由于该噪声模型的简单性 ,可以很方便地将模型植入电路模拟器如SPICE中完成电路设计 .
- 张国艳廖怀林黄如Mansun chan张兴王阳元
- 关键词：SOI热噪声
- SOI数模混合集成电路的串扰特性分析被引量：1
- 2002年
- 采用二维 TMA Medici模拟软件对 SOI结构的串扰特性进行了分析 .模拟发现随着频率的增加 ,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用 ,同时 ,连接 SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响 .还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析 ,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究 .并给出了 SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响 ,所得到的结果对设计低噪声耦合的
- 张国艳黄如张兴王阳元
- 关键词：SOI数模混合集成电路
- 抑制 SOIp- MOSFET中短沟道效应的 GeSi源 /漏结构(英文)
- 2001年
- 提出在 SOI p- MOSFET中采用 Ge Si源 /漏结构 ,以抑制短沟道效应 .研究了在源、漏或源与漏同时采用 Ge Si材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低 (DIBL)效应的影响 ,并讨论了 Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响 .研究表明 Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择 .对得到的结果文中给出了相应的物理解释 .随着器件尺寸的不断缩小 ,Ge Si源 /漏结构不失为 p沟
- 黄如卜伟海王阳元
- 关键词：短沟道效应MOSFETSOI
- 适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析被引量：2
- 2002年
- 本文较为详细地分析了SOIMOSFET的失真行为 .利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究 .同时 ,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOIMOSFET失真模型 .该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制 ,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合 .本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计 ,并对低失真电路的优化提供指导方向 .
- 张国艳廖怀林黄如Mansun CHAN张兴王阳元
- 关键词：场效应晶体管SOIMOSFET
