辽宁省自然科学基金(201102004) 作品数:5 被引量:14 H指数:3 相关作者: 史力斌 张研研 任瑞晨 李凯丰 周德江 更多>> 相关机构: 渤海大学 辽宁工程技术大学 更多>> 发文基金: 辽宁省自然科学基金 教育部科学技术研究重点项目 更多>> 相关领域: 动力工程及工程热物理 理学 一般工业技术 更多>>
不同吸收层结构的非晶硅/锗太阳能电池转换效率的模拟计算(英文) 被引量:3 2012年 设计了2种太阳能电池结构:结构A为a-Si:H/a-Si0.65Ge0.35:H多吸收层结构;结构B为a-Si0.65Ge0.35:H单吸收层结构。采用AMPS-ID程序分析了2种电池结构的光电性质。模拟计算中光学吸收系数和缺陷浓度均采用实验数据以便确保模拟的可靠性。分析了2种电池结构的短路电流密度、断路电压、填充因子和转换效率。结果表明:对于结构A,当吸收层厚度达180 nm时,转换效率达到饱和值6.88%;对于结构B,当吸收层厚度达45 nm时,转换效率达到最大值3.44%;利用载流子产生和复合机制分析了采用多吸收层结构更有利于提高太阳能电池的转换效率。 李明标 史力斌关键词:半导体 太阳能电池 双面HIT太阳电池TCO与非晶硅界面势垒的模拟优化 被引量:3 2013年 采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了TCO与非晶硅界面势垒对TCO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明太阳电池的TCO/p+前接触界面势垒(对于电子)越高,越易形成欧姆接触,且电池的短波响应增强,使电池性能变好.模拟还发现,n+/TCO背接触界面势垒(对于电子)越低,电池性能越好.若背场重掺杂,在背接触势垒小于等于0.5eV时,电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响;若背场低掺杂,在背接触势垒很小的情况下,也能达到与重掺杂相同的转换效率. 任瑞晨 张研研 史力斌 李彩霞关键词:太阳电池 异质结 TCO 势垒 非晶Si_(1-x)Ge_x:H薄膜太阳能电池研究 被引量:5 2012年 运用AMPS—ID程序研究了a-SiC:H/a-Si_(1-x)Ge_x:H/a-Si:H薄膜太阳能电池的光电特性.分析了a-SiC:H/a-Si_(1-x)Ge_x:H/a-Si:H薄膜太阳能电池短路电流、断路电压、填充因子和光电转化效率随Ge成分(或含量)x和a-Si_(1-x)Ge_x:H层厚度的变化.计算结果表明x=0.1和a-Si_(1-x)Ge_x:H厚度h=340 nm时,转化效率达到最大值9.19%.另外,讨论了各种因素对太阳能电池性能的影响. 费英 史力斌关键词:太阳能电池 模拟分析发射层带隙及缺陷态对HIT太阳电池性能的影响 被引量:2 2013年 运用美国滨州大学研发的AMPS-1D程序,模拟计算了发射层对n型衬底上有背场的非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响。结果表明当发射层隙间缺陷态密度大于发射层掺杂浓度并达到一定值时,太阳电池的开路电压和填充因子将大幅度降低,从而导致电池的转换效率迅速衰减。发射层的带隙越大,电池的短路电流越大,而带尾宽度越宽,电池的开路电压越低,二者应达到最佳的匹配值才能使太阳电池达到更高的转换效率。 张研研 任瑞晨 史力斌关键词:太阳电池 发射层 非晶硅锗薄膜太阳电池的模拟研究 被引量:5 2015年 利用AMPS程序模拟研究了非晶硅锗薄膜太阳电池的窗口层材料和厚度以及背接触势垒对电池光伏性能的影响。模拟发现带隙为1.92 e V的非晶硅碳更适合作为太阳电池的窗口层,且窗口层越薄电池的性能越好。模拟还发现,背接触势垒越低,则电池的光伏性能越好,当背接触势垒在0.11-0.51 e V的范围内时电池的转换效率不会受到背接触势垒的影响。 张研研 陈祺 李凯丰 周德江 王忠鑫 史力斌关键词:太阳电池