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湖北省教育厅科学技术研究项目(Q20111405)

作品数:3 被引量:5H指数:2
相关作者:聂磊黄飞胡伟男钟毓宁何涛更多>>
相关机构:湖北工业大学武汉大学华中科技大学更多>>
发文基金:湖北省教育厅科学技术研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇键合
  • 2篇封装
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇圆片
  • 1篇直接键合
  • 1篇三维封装
  • 1篇湿法
  • 1篇紫外
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇可靠性
  • 1篇活化工艺
  • 1篇硅圆片
  • 1篇封装材料
  • 1篇高温
  • 1篇LED
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇表面活化
  • 1篇粗糙度

机构

  • 3篇湖北工业大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇武汉大学

作者

  • 3篇聂磊
  • 1篇史铁林
  • 1篇廖广兰
  • 1篇张业鹏
  • 1篇何涛
  • 1篇钟毓宁
  • 1篇胡伟男
  • 1篇黄飞
  • 1篇张昆

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇华中科技大学...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
湿法活化工艺对圆片直接键合影响规律研究
2013年
为了优化硅圆片直接键合工艺,利用正交试验法,研究了活化液浓度、活化时间和活化温度3个重要工艺参数对硅圆片表面粗糙度的影响规律.试验以活化后表面的承载率BR(bear ratio)高度为指标评价活化效果.其结果表明:活化液浓度对表面粗糙度影响最大,在试验设定水平内浓度越高粗糙度越低;活化时间越长则表面粗糙度越高,必须避免过长的活化时间;而活化温度则对表面粗糙度影响不大.据此结论优化了硅图片的键合工艺,实现了高质量的圆片键合.
聂磊张昆廖广兰史铁林
关键词:键合单晶硅表面活化表面粗糙度
高温老化条件下LED模组封装材料失效研究被引量:3
2014年
为了获得高温条件下封装材料对LED模组可靠性的影响,在125℃环境温度下,使用高温试验箱同时对四种不同的样品进行恒定温度的老化试验。结果表明:在高温试验条件下,没有使用硅胶和荧光粉的LED模组具有很高的可靠性;而硅胶的碳化以及随之产生的气体、阻碍散热的荧光粉都会使光照度加速衰减,同时使用硅胶及荧光粉会使光照度迅速衰减导致模组失效。
聂磊项雯婧李婳婧黄飞
关键词:LED封装材料可靠性
硅圆片多层直接键合工艺研究被引量:2
2011年
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显著提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发性的预键合。通过红外透射观测键合界面,发现键合界面中心区无明显缺陷;对界面横断面的直接观测表明键合过渡层十分薄,证明了多层硅圆片已经结合成为一个整体,其键合工艺可应用于三维垂直通孔互连中。
聂磊钟毓宁张业鹏何涛胡伟男
关键词:直接键合三维封装紫外
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