教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0445)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：理学更多>>
- MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
- 徐峰陈敦军张荣谢自力刘斌刘启佳江若涟郑有阧
- 关键词：X射线衍射原子力显微镜X射线光电子谱RAMAN散射
