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国防科技技术预先研究基金(8534)

作品数：6 被引量：6H指数：1
相关作者：郝跃张进城朱志炜刘海波郭林更多>>
相关机构：西安电子科技大学四川固体电路研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇载流子
  • 4篇热载流子
  • 4篇场效应
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应晶体管
  • 3篇PMOSFE...
  • 2篇热载流子退化
  • 1篇等离子体
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电路
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇退火
  • 1篇退火效应
  • 1篇热载流子损伤
  • 1篇阈值电压
  • 1篇刻蚀

机构

  • 6篇西安电子科技...
  • 1篇四川固体电路...

作者

  • 6篇郝跃
  • 5篇张进城
  • 4篇朱志炜
  • 1篇张正幡
  • 1篇朱建纲
  • 1篇郭林
  • 1篇刘海波
  • 1篇刘海波

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2002
  • 5篇2001
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤被引量：1
2001年
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变 .这使预测 SOI器件的寿命变得非常困难 .
郝跃朱建纲郭林张正幡
关键词：SOI热载流子阈值电压NMOSFET场效应晶体管
通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤
2002年
通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中 PMOSFET's热载流子损伤的生长规律 .由此 ,给出了热载流子引起 PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释 .
张进城郝跃刘海波
关键词：热载流子损伤PMOSFET场效应管
一个新的pMOSFET栅电流退化模型被引量：1
2001年
研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流随应力时间会发生很大下降 ,而且在应力初期和应力末期栅电流的下降规律均会偏离公认的指数规律 .给出了所有这些现象的详细物理解释 ,并在此基础上提出了一种新的用于 p
张进城郝跃朱志炜刘海波
关键词：PMOSFET热载流子退化场效应晶体管
MOS结构中薄栅氧化层高场退火效应的研究被引量：4
2001年
深入研究了MOS结构中薄栅氧化层在高电场下的退火效应 ,对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理进行了深入探讨 .通过实验和模拟对氧化层陷阱电荷的退陷阱机理和生长机理进行了比较 ,给出了满意的物理解释 .
张进城郝跃朱志炜
关键词：MOS结构薄栅氧化层MOS器件
一种新的等离子体边缘损伤的测量方法
2001年
在等离子体刻蚀多晶硅工艺中 ,栅边缘氧化层直接暴露在等离子体环境中 ,由于 U V射线的作用栅边缘处将会产生损伤 ,这种损伤包含了大量的界面态和氧化层陷阱 .文中讨论了等离子体边缘损伤与圆片位置关系、天线比之间的关系及它们对器件长期可靠性的影响 ,并使用了低频局部电荷泵技术 .测量的结果包含了损伤产生的快、慢界面态和氧化层陷阱的信息 ,可以较好地测量工艺中产生的栅边缘损伤 ,为评估薄栅
朱志炜郝跃张进城
关键词：电荷泵等离子体集成电路刻蚀多晶硅
PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型
2001年
对 PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究 ,给出了一个新的器件退化监控量 ,并建立了不同器件参数退化的统一模型 .模拟结果和测量结果的比较表明 ,新的退化模型具有较高的准确性和较宽的适用范围 .新的退化模型不但可以用于器件参数退化量的模拟 。
张进城郝跃朱志炜
关键词：PMOSFET热载流子退化场效应晶体管
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