教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0464)
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 相关作者：高建军梁锋王永利黄亚森王倩更多>>
- 相关机构：东南大学华东师范大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 垂直腔面发射激光器的温度模型被引量：2
- 2007年
- 针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(V-I特性),通过引入温度控制的泄漏电流来模拟激光器的输出特性(L-I特性).模型的参数提取可以基于Tucker模型,并能方便地应用到HSPICE电路仿真软件中,通过对比可以发现,仿真结果和测试结果吻合得很好.
- 梁锋高建军田学农
- 关键词：VCSEL等效电路模型温度效应
- 量子阱激光器高频建模技术研究
- 2009年
- 介绍了用于高速光电集成电路设计的量子阱半导体激光器高频建模技术,以及相应的模型参数提取技术.上述等效电路模型基于激光器的物理速率方程,可以分析器件的小信号和大信号特性,通过和测量数据的比较验证了等效电路模型的正确性.
- 高建军
- 关键词：激光器高频大信号模型小信号模型
- 噪声测试平台的软硬件实现
- 2008年
- 为了提高噪声测试仪器使用效率,缩短测试周期,给出了一种噪声测试硬件平台的具体搭建方式及其配套软件的编写过程。硬件平台包括Agilent346C,HP8970B,HP8971C,HP8341B,Agilent82357A及GPIB连接线等。软件平台用Microsoft Visual C++6.0编程实现,通过GPIB接口对测试仪器进行控制,执行仪器校准、测量数据、将数据读入计算机,并能够将测试结果以文本和图形化方式显示出来,实现自动化测试。该噪声测试平台能够测量的最高频率为20 GHz。
- 韩鹏王志功高建军
- 关键词：噪声测试GPIBVISUALC++自动化测试
- 基于BiFET结构的宽带低噪声放大器设计被引量：1
- 2008年
- 采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7dB,增益为20～22.7dB,输入端反射系数为-17～-12dB。
- 王永利王倩黄亚森梁锋高建军
- 关键词：低噪声放大器切比雪夫滤波器
- 射频MOSFET噪声模型研究
- 2008年
- 对0.13μm MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究,在精确地提取了小信号模型参数之后,利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数直接提取了栅极感应噪声电流■、沟道噪声电流■和它们的相关系数,并用PRC模型中的参数来表示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真,在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。
- 黄亚森王倩袁成高建军
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管噪声模型
- 一种改进的用于SiGe HBT的焊盘模型参数提取技术被引量：1
- 2007年
- 提出了一种适用于Si基器件的焊盘寄生参数的提取方法,并将此方法提取的焊盘寄生参数结果与用近似法提取的焊盘寄生参数结果的精度作了比较。比较结果表明,文中提出的线性拟合法精度较高。焊盘寄生参数提取并剥离后,对AMS 0.35μm BiCMOS工艺加工的SiGe HBT的小信号等效电路进行参数提取,其中,外部电阻用基极"过驱动电流"法提取,本征参数用分析法提取,将参数提取结果代入模型进行仿真,仿真得到的S参数在整个测试频率范围内均与测试结果吻合良好。
- 王永利孙玲高建军
- 关键词：异质结双极晶体管锗硅焊盘
