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国家杰出青年科学基金(50425207)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：李言荣陶伯万秦文峰段珂瑜王小平更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇非金属材料
  • 1篇BI
  • 1篇BIT
  • 1篇BST
  • 1篇LSCO
  • 1篇12

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇李言荣
  • 1篇段珂瑜
  • 1篇张鹰
  • 1篇秦文峰
  • 1篇罗文博
  • 1篇朱俊
  • 1篇陶伯万
  • 1篇王小平

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Bi_4Ti_3O_(12)层状铁电薄膜的结构与性能研究被引量：1
2007年
采用脉冲激光沉积法(pulsed laser deposi-tion,PLD),通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12(BIT)系列薄膜。利用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律。分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度:气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大。通过上述试验结果得到,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备BIT薄膜的优化条件为氧分压35Pa、衬底温度700℃。在此优化条件下制备的BIT薄膜为a轴择优取向,剩余极化值达到7μC/cm2。
王小平朱俊罗文博张鹰李言荣
关键词：BIT
BST/LSCO异质结构的研究被引量：2
2006年
利用脉冲激光沉积法在STO（001）基片上外延生长了La0.5Sr0．5CoO3（LSCO）导电氧化物薄膜，研究了基片温度对LSCO薄膜结构和电性能的影响，并制备了Ni-Cr／BST／LSCO多层膜结构。XRD谱发现，沉积温度在450-700℃均能得到高度（001）取向的LSCO薄膜，LSCO（002）峰的半高峰宽FWHM=0.1°～0.2°；在LSCO薄膜上制备的BST介质膜具有良好的c轴取向和较高的表面平整度，其εr约为470，tgδ为0．036-0.060。
段珂瑜秦文峰陶伯万李言荣
关键词：无机非金属材料脉冲激光沉积法BST
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共1页<1>
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