贵州省科学技术基金([2009]2117)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 相关作者：宋学萍曹铃孙兆奇陈进军周继冬更多>>
- 相关机构：安徽大学贵州大学教育部更多>>
- 发文基金：贵州省科学技术基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 基于液态电极差动电容的电子水平仪
- 2010年
- 设计了一种以液态电极差动电容作为倾角传感器的电子水平仪.选用新型电容数字转换器(CDC)芯片AD7746,直接将传感器的电容信号转换成数字量,通过I2C总线交由PIC16F72处理,通过LCD直观显示倾斜角度.
- 陈进军王颖周继冬王武
- 关键词：倾角传感器CDC机器人
- 钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响被引量：3
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积不同钽掺杂浓度的氧化锌透明导电薄膜.并对其结构和电学特性进行分析.对衍射峰的分析说明Ta元素以替位Zn元素的形式溶入ZnO晶格中形成了固溶体.当钽掺杂比例从0 wt%增加到10 wt%,晶格常数从0.5242 nm增加到0.5314 nm,表明薄膜中存在平行于c轴方向的张应力.薄膜沿c轴的晶粒尺寸在9.4-13.5 nm之间.薄膜的电阻随着掺杂比例增加首先显著下降,当掺杂比例为5 wt%时,薄膜最小电阻率为7.81×10^-2Ω.cm,进一步增加掺杂比例到10 wt%,电阻率增大为1.25×10^-1Ω.cm.
- 陈进军曹铃宋学萍孙兆奇
- 关键词：射频磁控溅射微结构电阻率
- 掺杂浓度及退火对Ta-ZnO透明导电薄膜表面形貌的影响被引量：3
- 2010年
- 室温下采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备了掺Ta-ZnO透明导电薄膜,并在不同温度下退火处理。利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪对薄膜进行了表征分析,对于不同掺杂比例的Ta-ZnO薄膜以及退火后的Ta-ZnO薄膜的表面形貌进行了研究。当掺杂比例为5%(质量分数)时,薄膜有最大平均颗粒尺寸94.46nm和最小表面粗糙度4.48nm。随着退火温度的升高,该薄膜表面粗糙度(RMS)先增加后减小,平均颗粒尺寸在94.46～118.05nm之间。
- 陈进军曹铃宋学萍孙兆奇
- 关键词：射频磁控溅射掺杂表面形貌退火
