北京市教育委员会科技发展计划(KZ201410005008)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
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- Rubrene∶MoO3混合薄膜的制备及光学和电学性质
- 2019年
- 利用热蒸发技术在衬底温度为室温的硅衬底、氧化铟锡衬底和石英衬底上制备了红荧烯与氧化钼的混合薄膜.将两种材料放置于不同的坩埚中,通过控制蒸发源的温度来控制混合比例,制备了不同比例的混合薄膜.通过原子力显微镜对混合薄膜的表面形貌进行了测量,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,薄膜表面的平整度最好;通过X射线衍射分析对混合薄膜的结晶性进行分析,发现不同浓度的混合薄膜均表现出非晶态特征.通过PL谱和吸收光谱研究了不同比例的混合薄膜的光学性质,从光致发光谱可以发现:混合薄膜在近红外区域有显著吸收,说明红荧烯在氧化钼诱导下产生中间能级,形成电荷转移络合物.从吸收谱知:除4:1外,其他比例的混合薄膜具有几乎相同的吸收峰.根据Tauc方程计算了混合薄膜的光学带隙,发现当红荧烯与氧化钼的比例为2:1时,混合薄膜的带隙最窄(-2.23 eV).制备了结构为Al/rubrene:MoO3/ITO的器件,测试了J-V特性,研究了混合薄膜的电学性质.发现当混合比例为4:1和2:1时,混合薄膜与金属电极的接触表现为欧姆接触.本研究显示出红荧烯和氧化钼的混合薄膜在近红外区域有潜在的应用前景,也为红荧烯和氧化钼的混合薄膜在有机光电器件的应用提供了基础.
- 李瑞东邓金祥张浩徐智洋潘志伟孙俊杰王贵生
- 关键词：原子力显微镜X射线衍射分析
- 沉积时间对磁控溅射法制备宽禁带半导体薄膜材料ZnS物性及光学性质的影响被引量：1
- 2015年
- 在沉积时间分别为1 h、1.5 h、2 h及2.5 h的条件下,分别用磁控溅射法制备了Zn S薄膜,用XRD、SEM、台阶仪、椭偏仪等实验仪器进行物性检测,最终发现,沉积时间越长的薄膜,晶粒越小,密度越大,折射率越大;消光系数受晶粒大小、晶界多少、孔隙率等多种因素影响,呈现复杂变化。
- 苗一鸣邓金祥段苹陈仁刚杨倩倩高红丽
- 关键词：磁控溅射法宽禁带半导体
- 垂直型MoS2/C60范德华异质结的研究
- 2019年
- 研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS2/C60范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS2薄膜上沉积C60进而形成MoS2/C60范德华异质结,并制备了Au/MoS2/C60/Al结构的器件。对MoS2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS2,C60及MoS2/C60薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS2晶型为2H型;由于在MoS2和C60薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO2衬底上,沉积在MoS2上的C60薄膜喇曼特征峰发生红移;MoS2/C60薄膜在可见光范围内具有明显的光吸收特性;异质结表现出良好的整流特性,通过电子导电模型分析得出电子的传输机制包含热电子发射,空间电荷限制电流传导(SCLC)和隧穿现象。
- 潘志伟邓金祥张浩白志英李瑞东王贵生段苹王吉有
- 关键词：MOS2C60异质结
- 二维MoS2以及Pentacene/MoS2异质结的光学和电学性质
- 2018年
- 以硫粉末和MoO_3粉末作为原料,通过化学气相沉积法制备出MoS_2薄膜,用光学显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及X射线衍射谱对所制备的MoS_2薄膜进行表征。结果表明:制备得到的二维MoS_2,其晶体形貌为三角形,尺寸约为60μm,薄膜厚度约为0.7nm;二维MoS_2可以作为理想的表面增强喇曼散射衬底,促进与有机小分子的电子转移,因此两者的喇曼光谱强度均增强。在MoS_2薄膜上沉积有机小分子pentacene制备出具有良好整流特性的有机-无机pentacene/MoS_2异质结,通过分析ln(I/V2)-1/V曲线,发现该异质结存在Fowler-Nordheim隧穿现象,logI-logV曲线显示当电压在0～1V时,电荷传导为欧姆导电,当电压高于1V时,电荷传导由空间电荷限制电流机制主导.研究结果可为单层MoS_2与有机小分子pentacene结合应用于光电领域提供基础.
- 白志英邓金祥潘志伟张浩孔乐王贵生
- 关键词：异质结化学气相沉积法光电性质
- 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究被引量：1
- 2014年
- 在不同的衬底温度下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品.用X射线衍射仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析.薄膜的晶粒尺寸会随着衬底温度的升高先增大后减小,在200?C时薄膜的结晶性最好.用椭偏仪测试样品,建立物理模型计算出氮化锌薄膜在430—850 nm范围内的折射率和消光系数等光学参数.利用Tauc公式计算出氮化锌薄膜的光学带隙在1.73—1.79 eV之间.
- 陈仁刚邓金祥陈亮孔乐崔敏高学飞庞天奇苗一鸣
- 关键词：X射线衍射椭偏光谱光学参数
