国家自然科学基金(11304335)
- 作品数：10 被引量：11H指数：2
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- 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究被引量：1
- 2016年
- 针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征,认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试,认为将该亚表面损伤层完全去除后,材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。
- 乔辉陈心恬赵水平兰添翼王妮丽朱龙源李向阳
- 关键词：化学机械抛光椭圆偏振少子寿命碲镉汞
- 全文增补中
- 空间微重力汽相生长CdZnTe的研究进展被引量：4
- 2013年
- 微重力条件下汽相生长CdZnTe晶体可以克服浮力对流,实现"无接触"生长,获得厚度均匀、结构完整、纯度高的材料。本文综述了国内外空间汽相生长CdZnTe晶体的研究进展。
- 王仍李向阳陆液焦翠灵张可峰张莉萍邵秀华林杏潮
- 关键词：微重力CDZNTE
- 金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量：5
- 2014年
- 采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了短波器件,器件性能较好黑体DλP*可达4.67E+11/(cmHz1/2W-1)。
- 王仍焦翠灵徐国庆陆液张可峰杜云辰李向阳张莉萍邵秀华林杏潮
- 关键词：气相外延拉曼光谱
- 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度
- 2014年
- 用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.
- 徐国庆刘向阳王仍储开慧汤亦聃乔辉贾嘉李向阳
- 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究
- 2017年
- 针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性。发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具有最小的暗电流,经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致。如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多,会使得子像元边界在低温下引入表面隧穿电流和表面欧姆电流,这些与边界有关的表面漏电会成为低温下暗电流的主要成分,从而使子像元结构失去降低器件暗电流的优势。文章中同时给出了低温下子像元结构可以有效降低器件暗电流的条件,并针对不同的子像元结构,提出了漏电体积这一参量来评价不同结构子像元降低器件暗电流的效果。
- 乔辉李向阳
- 关键词：暗电流光伏器件碲镉汞
- ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
- 2017年
- 研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退,表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认为增大的压强使得材料内部产生了更多的填隙Hg离子,增强了载流子受到的电离杂质散射作用;同时材料内部也产生了更多的缺陷,极化声子散射作用也因此加强。由此解释了在流片过程中出现的某一批次碲镉汞光导器件性能的恶化是该批次器件ICP刻蚀工艺中的气压参数增加所致。
- 操神送杜云辰朱龙源兰添翼赵水平罗毅乔辉
- 关键词：电学特性
- 中波碲镉汞光伏探测器的实时gamma辐照效应（英文）被引量：1
- 2016年
- 对中波碲镉汞光伏探测器进行了实时gamma辐照效应研究.通过在辐照过程中对器件的电流—电压特性曲线进行测试,得到了器件电学性能随着gamma辐照剂量的变化.研究发现器件在辐照过程中表现出两种典型的辐照效应:电离效应和位移效应.电离效应可以通过辐照过程中类似光电流的产生来表现出来,而位移效应则通过辐照过程中器件串联电阻的增加来体现.两种效应都表现为总剂量效应.分析认为,由于位移效应引入的辐照损伤随着辐照剂量的增加越来越多,辐照电离效应产生的自由载流子产额随之逐渐降低,说明随着辐照剂量增加,电离效应逐渐降低,而位移效应则逐渐增强,导致器件性能衰退.
- 乔辉李淘龚海梅李向阳
- 关键词：光伏探测器碲镉汞
- 液相外延制备的InAs0.94Sb0.06薄膜的光学性质
- 2016年
- 采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000-6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下In As衬底和In As0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定In As0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 e V.
- 吕英飞周炜王洋俞国林胡淑红戴宁
- 关键词：液相外延光学性质
- 具有低带外响应的640×8元可见盲AlGaN紫外焦平面(英文)
- 2018年
- 带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料,Al Ga N基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器,其光谱响应范围为345~363.5 nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能,使用单色仪对该器件进行了光谱扫描,扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示,该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能,在300~1 160 nm光谱范围内,光谱带外响应比率仅为1.14%。
- 马丁许金通许金通刘福浩张燕
- 具有低带外响应的640×8元可见盲AIGaN紫外焦平面
- 2018年
- 带外响应是紫外焦平面探测器的一个重要参数。作为一种宽禁带半导体材料，AIGaN基紫外探测器在紫外探测领域中具有十分优秀的带外响应性能及带外抑制能力。报道了一种640×8元可见盲紫外焦平面探测器，其光谱响应范围为345～363．5nm。为了表征该焦平面探测器在宽光谱范围内的带外响应性能，使用单色仪对该器件进行了光谱扫描，扫描光谱范围涵盖了从紫外波段到近红外波段的光谱范围。其结果表示，该紫外焦平面探测器具有优秀的带外响应性能，在300～1160nm光谱范围内，光谱带外响应比率仅为1．14％。
- 马丁许金通许金通刘福浩张燕
