湖南省国际科技合作项目(1713-394201034)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：潘学文周继承郑旭强刘建军更多>>
- 相关机构：中南大学桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：湖南省国际科技合作项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于LFSR重复播种种子计算方法的初步研究
- 2008年
- 提出了一种新的基于线性反馈移位寄存器(LFSR)重复播种种子的计算方法.该方法计算得到LFSR重复播种中使用到的种子,重复播种后能够截断对故障覆盖率效率底的测试序列,每个种子得到长度可变的伪随机测试序列.对ISCSA85电路进行了仿真试验,仿真结果表明,该方法能够大量减少测试矢量长度,同时降低了测试时间.
- 潘学文周继承刘建军
- 关键词：内建自测试线性反馈移位寄存器种子
- 一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放被引量：2
- 2010年
- 为解决阈值电压对电源电压和输入信号的受限问题,提出一种实用的电平位移电路,为运放的输入级提供良好的电平位移。采用互补金属氧化物半导体(CMOS)0.5μm工艺设计的低电压全摆幅CMOS运算放大器,中间级采用适合低电压工作的低压宽摆幅共源共栅结构,输出级采用传统的Class A类得到轨至轨的输出。采用Hspice软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:当电源电压降至或者小于NMOS与PMOS的阈值电压之和时,在任何共模输入电压下,该运放都能正常工作,实现输入级的全摆幅和恒跨导;在1.3 V单电源供电情形下直流开环增益达106.5 dB,单位增益带宽为2.3 MHz,功耗178.8μW。电路结构简单紧凑,具有实用的电平位移功能,适合于低电压应用。
- 潘学文周继承郑旭强
- 关键词：CMOS运放全摆幅仿真
- 溅射工艺对SiCN扩散阻挡层薄膜的影响
- 本文采用射频磁控反应溅射法制备了SiCN薄膜,利用台阶仪、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构。研究了工艺参数如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构...
- 石之杰周继承郑旭强
- 关键词：半导体技术磁控溅射扩散阻挡层
- 文献传递
