国家高技术研究发展计划(2001AA312070)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 相关作者：张峰王永进程新利陈志君林志浪更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
- 2006年
- 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
- 陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
- 关键词：注氧隔离
- SIMOX大截面单模脊型光波导的研制
- 2004年
- 以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损耗小于0.6dB/cm。
- 林志浪程新利王永进张峰
- 关键词：SIMOX化学气相沉积脊型光波导集成光学
- 掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究被引量：3
- 2004年
- 通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×1015cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升。973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰。光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低。1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反。说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系。
- 肖海波张峰张昌盛程新利王永进陈志君林志浪张福民邹世昌
- 关键词：离子束辅助沉积AL2O3薄膜PL谱发光特性
- 离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
- 2004年
- 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。
- 张昌盛肖海波王永进陈志君程新利张峰
- 关键词：ER富硅氧化硅光致发光
- 光通信用厚膜SOI材料的制备与研究
- 2004年
- 利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。采用Secco液腐蚀、椭圆偏振仪(SE)、扩展电阻(SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因。外延层电阻率纵向分布均匀,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整。用制备的厚膜SOI材料制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验,得到了传输损耗为0.4dB/cm的波导结构。
- 程新利林志浪王永进肖海波张峰邹世昌
