教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-05-0111)
- 作品数：14 被引量：60H指数：4
- 相关作者：任晓敏黄永清黄辉李轶群王琦更多>>
- 相关机构：北京邮电大学教育部东华理工大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 半导体环形激光器的输出耦合及阈值增益分析被引量：4
- 2007年
- 通过三维光波导的模式耦合理论分析了半导体环形激光器(SRL)与直波导的耦合系数,用耦合系数的解析表达式结合SRL自再现条件分析了SRL各参数对阈值增益的影响。分析结果表明,耦合系数随波导宽度和厚度、波导间距的增大而减小,随SRL半径的增大而增大;阈值增益随波导宽度和厚度、波导间距的增大而增大,随SRL半径的增大而减小。
- 陈海波黄永清黄辉徐玉峰苗昂李轶群任晓敏
- 关键词：阈值增益
- 采用下行IRZ上行DPSK信号的新型再调制DWDM-PON方案
- 本文提出并实验验证了一种应用于再调制密集波分复用无源光网络（DWDM-PON）的新方案。下行数据采用反转归零码（IRZ）调制,上行数据采用差分相移键控（DPSK）调制,上下行双向都处于高消光比的状态。实验验证了20km范...
- 张锦南袁学光任晓敏黄永清张阳安张明伦
- 关键词：消光比
- 文献传递
- MOCVD反应器热流场的数值模拟研究被引量：13
- 2008年
- 本文以低压、旋转、垂直喷淋结构的MOCVD反应器为对象,应用二维数学模型分析与计算,对反应器内部的质量输运过程进行了比较详细的研究与讨论。通过计算发现:在一定范围内,增加进气流量Q、降低操作压力P、设定适宜的生长温度t、保持合理的基座转速ω等,不仅可以非常有效地抑制热浮力效应,同时也使衬底表面流体的流动速度进一步增加,从而实现反应器内部的流场和温度场的均匀分布。研究的结果,不仅为高品质的外延生长提供了有效的解决方案,而且也为MOCVD反应器的优化设计提供了重要的参考依据。
- 钟树泉任晓敏王琦黄辉黄永清张霞蔡世伟
- 关键词：MOCVD反应器输运过程热对流
- InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究被引量：2
- 2009年
- 基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性。
- 胡钉黄永清吴强李轶群黄辉任晓敏
- 关键词：HBT直流特性
- InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备被引量：6
- 2007年
- 借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。
- 王琦任晓敏熊德平周静吕吉贺黄辉黄永清蔡世伟
- 关键词：光探测器
- 横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型被引量：1
- 2007年
- 分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程,建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型.在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下,模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系.通过讨论掩膜/窗口宽度的影响,说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素.以上结论与实验结果一致.
- 刘磊任晓敏周静王琦熊德平黄辉黄永清
- 关键词：扩散生长速率
- 用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT被引量：2
- 2009年
- 实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。
- 李轶群黄辉吕吉贺苗昂吴强蔡世伟黄永清任晓敏
- 一种具有亚波长光栅结构的光探测器的设计被引量：15
- 2009年
- 高速智能光纤通信系统和网络的飞速发展对光电探测器提出了更高要求。利用严格耦合波(RCWA)理论,给出了在亚波长光栅(SWG)下方具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的理论分析模型,将这种结构作为反射镜应用于谐振腔增强型光探测器(RCE PD)的设计中。仿真表明由于SWG的引入,只需要4对λ/4厚度的InGaAsP/InP系DBR,可使整体膜系结构实现在中心波长1.55 μm处反射率达到99.7%,在1.40μm至1.62μm范围内反射率高于99%。引入SWG后的RCE PD在1.55μm附近的量子效率接近90%,串扰衰减系数与量子效率的乘积超过15 dB。有效地解决了InGaAsP/InP介质膜系DBR作为谐振腔反射镜反射率低、反射带宽窄的问题。
- 杨一粟黄永清黄辉王琦任晓敏
- 关键词：光电子学亚波长光栅光探测器
- 基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延被引量：1
- 2009年
- 采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延样品进行双晶X射线衍射(DCXRD)测试,并比较1.2μm厚InP外延层(004)晶面ω扫描及ω-2θ扫描的半高全宽(FWHM),确定了InxGa1-xP组分渐变缓冲层的最佳生长温度为450℃、渐变时间为500s。由透射电子显微镜(TEM)测试可知,InxGa1-xP组分渐变缓冲层的生长厚度约为250nm。在最佳生长条件下的InP/GaAs外延层中插入生长厚度为48nm的In0.53Ga0.47As,并对所得样品进行了室温光致发光(PL)谱测试,测试结果表明,中心波长为1643nm,FWHM为60meV。
- 刘红兵王琦任晓敏黄永清
- 新型长波长可调谐光电探测器被引量：8
- 2006年
- 通过将GaAs基滤波器与InP基探测器键合在一起,实现了一种新型可调谐的长波长光电探测器。通过热调谐,在13 V的偏置电压下,峰值波长从1 540.1 nm红移到1 550.6 nm,实现了10.5 nm的调谐范围,响应线宽维持在0.6 nm,量子效率也保持在22%左右。从理论上分析了器件的调谐原理,利用传输矩阵法模拟了滤波器的透射光谱,并通过实验加以了验证。
- 王文娟王兴妍黄辉崔海林苗昂李轶群任晓敏黄永清
- 关键词：光电探测器可调谐长波长
