浙江省科技攻关计划(2006C11029)
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
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- 溶胶-凝胶法制备纳米晶γ-Al2O3：Tb^3＋粉末及其发光性能被引量：6
- 2009年
- 以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备了纳米晶γ-Al2O3∶Tb3+发光粉;并采用DTA/TG、XRD、TEM及荧光光谱对其进行了一系列表征。研究结果表明:采用溶胶-凝胶制备工艺,经800℃煅烧4h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3∶Tb3+发光粉;发光粉的最佳激发波长为251nm,对应于Tb3+4f-5d跃迁;最佳掺杂浓度为5%(物质的量浓度,下同),在251nm光激发下,最强的发射峰位于544nm,可以用作绿色发光材料。
- 石涛周箭申乾宏杨辉
- 关键词：纳米晶发光粉
- sol-gel法制备纳米晶γ-Al_2O_3∶Eu^(3+)发光粉及发光性能被引量：3
- 2009年
- 以异丙醇铝为原料,聚乙二醇(PEG1000)为络合剂,采用sol-gel法制备了纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉,对其结构、形貌、晶粒尺寸及光致发光性能进行了研究。结果表明:采用sol-gel法制备工艺,经过800℃煅烧4h,可以得到发光强度高的纳米晶γ-Al2O3∶Eu3+发光粉,其最佳激发波长为395nm,最佳掺杂量为x(Eu3+)=10%,此时最强的发射峰出现在617nm附近,可以用作红色发光材料。
- 石涛周箭申乾宏杨辉
- 关键词：SOL-GEL法纳米晶发光粉
- Si衬底Al_2O_3:Eu^(3+)薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能被引量：1
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在Si衬底上制备Al2O3:Eu3+薄膜;并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行一系列表征,分析Al2O3:Eu3+薄膜的发光机制,探讨热处理温度和Eu3+掺杂浓度对发光性能的影响规律。结果表明,采用溶胶-凝胶法制备工艺,得到发光强度高的Al2O3:Eu3+薄膜,薄膜的最佳激发波长为265nm,Eu3+的最佳掺杂浓度为10mol%,在265nm光激发下,最强的发射峰出现在617nm附近;采用溶胶-凝胶法制备得到Al2O3:Eu3+薄膜表面致密、平整且无裂纹产生,表面粗糙度约为1.4nm,有利于硅基光电子器件的制备和应用。
- 石涛周箭申乾宏
- 关键词：溶胶-凝胶法光致发光
- 疏水性透明γ-AlOOH/FAS复合薄膜的制备与性能
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法和表面改性结合的方法制备了疏水性透明-γAlOOH/FAS复合薄膜,勃姆石(γ-AlOOH)薄膜经沸水处理表面形成网格状粗糙结构,氟硅烷(十三氟辛基三乙氧基硅烷,FAS)被用作疏水剂涂敷在勃姆石薄膜表面。研究采用XRD,SEM,接触角测定仪及UV-vis分光光度计对薄膜相结构、表面形貌、接触角及可见光透过率进行了一系列表征。研究结果表明:采用溶胶-凝胶法和表面改性结合的方法制备的-γAlOOH/FAS复合薄膜具有高的透明性和疏水性,复合薄膜对可见光透过率达90%以上,对水的接触角为120.3°。
- 石涛申乾宏周箭杨辉
- 关键词：疏水性溶胶-凝胶法
- 硅衬底Al_2O_3∶Tb^(3+)薄膜的制备及其发光性能被引量：1
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法在硅衬底上制备了Al2O3:Tb3+薄膜;并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征;分析了Al2O3:Tb3+薄膜的发光机理,探讨了热处理温度和Tb3+掺杂浓度对发光性能的影响规律.研究结果表明,采用溶胶-凝胶法制备工艺,制备了高发光强度的Al2O3:Tb3+薄膜,薄膜的最佳激发波长为240nm,Tb3+的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb2O3/Al2O3=5mol%),在240nm光激发下,最强的发射峰出现在544nm附近;并且制备的Al2O3:Tb3+薄膜表面致密、平整且无裂纹产生,表面粗糙度约为1.3nm,有利于硅基光电子器件的制备和应用.
- 石涛周箭申乾宏杨辉
- 关键词：光致发光
