中央高校基本科研业务费专项资金(DUT11ZD114)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
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- 氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究被引量：2
- 2013年
- 降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。
- 刘沙沙秦福文朱巧智刘冰冰汤斌王德君
- 关键词：界面态密度
- SiC MOS器件关键技术研究
- 2012年
- SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiC MOS器件的关键技术。针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题,采用电子回旋共振(ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理,研究了低温退火条件下Ti/4H-SiC欧姆接触特性。I-V电学测试结果表明,经氢等离子体处理(HPT)后的样品无需退火即可形成欧姆接触,利用圆形传输线模型测得比接触电阻率为2.25×10^(-3)Ω·cm^2,随着退火温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃退火后获得最小的比接触电阻率2.07×10^(-4)Ω·cm^2。针对SiC MOS界面态密度过高的问题,采用ECR微波氮氢混合等离子体对SiC MOS界面进行退火处理,I-V和C-V电学测试结果显示,氮氢混合等离子体处理可在不破坏氧化膜质量的前提下,使费米能级附近的界面态密度降至1.14×10^(12) cm^(-2)·eV^(-1)。
- 朱巧智黄玲琴王德君
- 关键词：欧姆接触
- GaN MOSFET的设计制作及其表征
- 2012年
- 探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm^2·V^(-1)·s^(-1),界面态密度达1.31×10^(11)个/(cm^2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构。
- 王青鹏江滢敖金平王德君
